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申请/专利权人：雷射科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种能够判别SiC外延片中的BPD的缺陷检查装置和缺陷检查方法。本实施方式的缺陷检查装置1具有：照射光学系统10，其向包括SiC衬底51、在SiC衬底51上形成的缓冲层52及在缓冲层52上形成的漂移层53的试样50照射激发光EL；滤光部20，其控制使试样50产生的光致发光PL透射的波段；检测光学系统30，其检测从滤光部20透射的光致发光PL；以及图像处理部40，其根据检测到的光致发光PL形成图像，判别在所形成的图像中拍摄到的缺陷，图像处理部基于缺陷的长度为L1＝D1+D2tanθ或L2＝D2tanθ判别缺陷。
主权项：1.一种缺陷检查装置，其具有：照射光学系统，其向试样照射激发光，所述试样包括碳化硅衬底、在碳化硅衬底上形成的缓冲层、以及在缓冲层上形成的漂移层；滤光部，其控制使所述试样产生的光致发光透射的波段；检测光学系统，其检测从所述滤光部透射的所述光致发光；以及图像处理部，其根据检测到的所述光致发光来形成图像，判别在所形成的所述图像中拍摄到的缺陷，所述滤光部使所述光致发光中的包含420nm以上且430nm以下的所述波段透射，在将所述漂移层的厚度设为D1，将所述缓冲层的厚度设为D2，将偏移角设为θ，将第一长度和第二长度分别设为以下表示的L1和L2的情况下，L1＝D1+D2tanθL2＝D2tanθ在所述缺陷的长度属于包含所述第一长度的规定的第一范围的情况下，所述图像处理部将所述缺陷判别为包含从所述缓冲层连续至所述漂移层的基面位错的所述缺陷，在所述缺陷的所述长度属于包含所述第二长度的规定的第二范围，且所述第二范围与所述第一范围不同的情况下，所述图像处理部将所述缺陷判别为包含所述缓冲层中的所述基面位错和所述漂移层中的刃位错的所述缺陷。
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