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申请/专利权人：和芯星通科技(北京)有限公司
摘要：一种电离层延迟计算方法、存储介质及电子设备，该方法包括：基于测站的地心坐标和卫星的地心坐标，确定测站对应的穿刺点的地心坐标；基于测站对应的穿刺点的地心坐标，确定测站对应的穿刺点的经度值和纬度值；基于测站对应的穿刺点的经度值和纬度值，得到测站的电离层垂直延迟改正值。由此，本申请可以通过变换坐标系的方式，即采用ECEF坐标下测站和卫星的地心坐标，来确定测站对应的穿刺点的地心坐标，进而基于测站对应的穿刺点的地心坐标，确定测站对应的穿刺点的经度值和纬度值，以避免高纬度地区由于方位角变化大而引起的电离层延迟变化大的现象，从而提高电离层垂直延迟改正值的准确度。
主权项：1.一种电离层延迟计算方法，其特征在于，包括：基于测站的地心坐标和卫星的地心坐标，确定所述测站对应的穿刺点的地心坐标；其中，所述地心坐标表示地心地固坐标系ECEF下的坐标；基于所述测站对应的穿刺点的地心坐标，确定所述测站对应的穿刺点的经度值和纬度值；基于所述测站对应的穿刺点的经度值和纬度值，得到所述测站的电离层垂直延迟改正值。
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百度查询： 和芯星通科技(北京)有限公司 电离层延迟计算方法、存储介质及电子设备
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