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申请/专利权人：江苏墨圭新材料有限公司
摘要：本发明属于钠离子电池铝箔集流体技术领域，具体涉及一种低温生长垂直石墨烯的铝箔集流体的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，对铝箔集流体进行表面预处理；步骤S2，将预处理后的铝箔集流体置于PECVD沉积腔中，在真空环境下加热至500‑600℃；步骤S3，通入Ar气体，对所述铝箔集流体的表面进行轰击清洗；步骤S4，通入碳源气体，在500‑600℃环境下生长垂直石墨烯；步骤S5，通入保护性气体，在低压下降温至室温，得到低温生长垂直石墨烯的铝箔集流体；本发明将传统的石墨烯涂层改为在低温环境下于铝箔表面沉积生长垂直石墨烯，不需要催化剂的辅助即可与铝箔形成良好的结合力，同时垂直石墨烯具有竖直取向、非堆叠形貌的特点，提高钠离子电池性能。
主权项：1.一种低温生长垂直石墨烯的铝箔集流体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，对铝箔集流体进行表面预处理；步骤S2，将预处理后的铝箔集流体置于PECVD沉积腔中，在真空环境下加热所述PECVD沉积腔至500-600℃；步骤S3，通入流量为2-5mlmin的Ar气体，待所述PECVD沉积腔内压力稳定后打开等离子体发生器，对所述铝箔集流体的表面进行轰击清洗；步骤S4，停止通入Ar气体后，通入碳源气体，在500-600℃环境下在所述铝箔集流体的表面化学气相沉积生长垂直石墨烯；步骤S5，停止通入碳源气体，通入保护性气体，在低压下降温至室温，得到低温生长垂直石墨烯的铝箔集流体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏墨圭新材料有限公司 低温生长垂直石墨烯的铝箔集流体的制备方法
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