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半导体功率实体、通过混合键合制造所述实体的方法以及混合键合片 

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申请/专利权人:华为数字能源技术有限公司

摘要:本发明涉及一种用于将第一接合构件110与第二接合构件120进行键合的混合键合片200。所述混合键合片200包括核心层210。所述核心层210包括形成在所述核心层的上主面210a和下主面210b之间的核心绝缘层211以及从所述上主面210a到所述下主面210b贯穿所述核心绝缘层211的一个或多个金属直通连接212。所述混合键合片200包括第一键合层220。所述第一键合层220具有用于键合所述第一接合构件110的第一绝缘键合层221和第一金属键合层222。所述混合键合片200包括第二键合层230。所述第二键合层230具有用于键合第二接合构件120的第二绝缘键合层231和第二金属键合层232。所述一个或多个金属直通连接212、所述第一金属键合层222和所述第二金属键合层232用于与所述第一接合构件110和所述第二接合构件120形成导电和导热连接。

主权项:1.一种用于将第一接合构件110与第二接合构件120进行键合的混合键合片200,其特征在于,所述混合键合片200包括:核心层210,具有上主面210a和与所述上主面210a相对的下主面210b,其中,所述核心层210包括形成在所述上主面210a和所述下主面210b之间的核心绝缘层211以及从所述上主面210a到所述下主面210b贯穿所述核心绝缘层211的一个或多个金属直通连接212;第一键合层220,用于键合所述第一接合构件110,其中,所述第一键合层220形成在所述核心层210的所述上主面210a上,所述第一键合层220包括形成在所述核心绝缘层211上的第一绝缘键合层221和形成在所述一个或多个金属直通连接212上的第一金属键合层222;第二键合层230,用于键合所述第二接合构件120,其中,所述第二键合层230形成在所述核心层210的所述下主面210b上,所述第二键合层230包括形成在所述核心绝缘层211上的第二绝缘键合层231和形成在所述一个或多个金属直通连接212上的第二金属键合层232,所述一个或多个金属直通连接212、所述第一金属键合层222和所述第二金属键合层232用于与所述第一接合构件110和所述第二接合构件120形成导电和导热连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华为数字能源技术有限公司 半导体功率实体、通过混合键合制造所述实体的方法以及混合键合片

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