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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本公开涉及喷涂光致抗蚀剂和光可成像电介质以为玻璃芯封装实现TSV桥。本文公开的实施例包括一种电子封装。在实施例中，该电子封装包括芯，其中，芯包括玻璃。在实施例中，腔体在芯中，桥在腔体中。在实施例中，桥包括穿衬底过孔TSV。在实施例中，焊盘在腔体的底部处，其中，TSV电耦合到焊盘。
主权项：1.一种电子封装，包括：芯，其中，所述芯包括玻璃；所述芯中的腔体；所述腔体中的桥，其中，所述桥包括穿衬底过孔TSV；以及所述腔体的底部处的焊盘，其中，所述TSV电耦合到所述焊盘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 喷涂光致抗蚀剂和光可成像电介质以为玻璃芯封装实现TSV桥
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