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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：一种利用荧光示踪技术鉴别S型阴极近表面活性物质的方法，属于电子发射材料监测领域。通过将荧光探针Eu3+与S型阴极制备技术结合，得到了荧光化S型阴极。荧光化S型阴极在荧光测试中能够明显的反映钨基体和活性物质的分布，通过荧光信号采集实现S型阴极近表面活性物质存在状态的快速无损分析，并可以简便直观的观察活性物质的分布。荧光探针的引入不会引发阴极发射性能的降低，因此可以较为准确的反映阴极的工作情况，为阴极性能进一步优化提供了依据。
主权项：1.一种荧光示踪鉴别S型阴极近表面活性物质的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，制备应用于荧光化S型阴极的含钡活性盐；制备含荧光示踪Eu3+的含钡活性盐前驱体，含钡活性盐为：BaO:CaO:Al2O3的摩尔比例为3.6～4.4：1：1；含荧光示踪Eu3+的含钡活性盐前驱体通过高温固相煅烧，经研磨过筛后得到应用于荧光化S型阴极的含钡活性盐；步骤2，将步骤1得到的含钡活性盐涂抹在多孔金属基体的表面，并将多孔金属基体放置在钼舟当中，随后在纯H2气氛中快速升温至高于含钡活性盐熔点150-200℃的温度，保温20-60s后以大于40℃min速度降温到室温，得到荧光化S型阴极；步骤3，对步骤2得到荧光化S型阴极进行表面预处理，通过砂纸打磨去除阴极表面多余的残盐，得到露出光洁表面且平整的阴极；步骤4，对步骤3得到的阴极进行多维荧光测试，实现S型阴极中近表面活性物质的荧光示踪。
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权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种利用荧光示踪技术鉴别S型阴极近表面活性物质的方法
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