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申请/专利权人：天津理工大学
摘要：本发明涉及半导体材料催化氧化领域，公开了一种Bi元素掺杂的半导体材料CuO，利用简单化学沉淀反应制备CuO粉末，然后在FTO上通过旋涂和煅烧的方法形成了CuO半导体材料，并且采用简单的掺杂方法制备了CuO‑Bi光阳极材料。由于Bi元素对甘油的优异的吸附作用，掺杂Bi元素后CuO电催化甘油的效果得到提高，甘油转化量和转化率随着Bi元素掺杂浓度的增大而逐渐增大；但增加到一定浓度时，甘油的转化量又降低，说明过量的Bi元素掺杂不利于CuO对甘油的电催化，为了得到高转化率，需要选择合适的掺杂浓度。
主权项：1.一种Bi元素掺杂的用于电催化的材料CuO的制备方法，其特征在于：Bi元素掺杂有合适的浓度梯度，在0.005M到0.02M之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津理工大学 一种Bi元素掺杂的用于甘油氧化的CuO催化剂的制备方法
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