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等离子体改善低雷诺数下高超声速进气道流动分离的方法 

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申请/专利权人:中国人民解放军空军工程大学

摘要:提出一种等离子体改善低雷诺数下高超声速进气道流动分离的装置,前体为两级或两级以上压缩,进气道通道内宽高比大于2;进气道斜坡上设置三个阶梯凹槽,阶梯凹槽沿展向延伸,等离子体激励器装配在阶梯凹槽内,使用三个电源分别给三个激励器供电。还提供一种等离子体改善低雷诺数下高超声速进气道流动分离的方法,在低雷诺数条件下,利用高频等离子体的持续扰动作用,促进或强制边界层转捩以保证进气道入口处的边界层湍流状态,同时增强边界层抵抗逆压梯度的能力,减缓唇口激波壁面边界层干扰诱导的流动分离,改善提升低雷诺数条件下高超声速进气道的进气性能以及进气效率,这对改善低雷诺数条件下高超声速进气道流动分离具有重要意义。

主权项:1.等离子体改善低雷诺数下高超声速进气道流动分离的装置,其特征在于,具体如下:前体为两级或两级以上压缩,多道前体激波交汇点为进气道唇口尖端;进气道通道内宽高比大于2;模型制作材料具有高强度、抗变形和耐磨性的特点;进气道斜坡上设置三个阶梯凹槽,阶梯凹槽沿展向延伸,关于进气道流向周线对称布置,每个阶梯凹槽分为上凹槽和下凹槽,上凹槽靠近平板上表面,用于装配激励器;下凹槽靠近平板下表面,宽度小于上表面,用于引出高压导线;三个阶梯凹槽关于第一级斜面展向中轴线对称,三个阶梯凹槽沿进气道第一级斜面自前向后分布,阶梯凹槽展向边缘相互平行,流向边缘齐平;等离子体激励器装配在阶梯凹槽内,呈薄长方体结构,沿激励器短边对称轴均匀布置几组圆柱阶梯孔,每组2个,用于装配电极以及高压电线,该阶梯孔沿激励器表面垂直向内打孔加工,靠近激励器表面的小圆柱体,孔径小,用于装配钨电极;远离激励器表面的大圆柱体,孔径大,用于装配高压电线;将高压电线固定在阶梯孔内,并保证装配后电极表面与激励器上表面齐平;每组圆柱阶梯孔内安装一组放电电极;每个激励器上的几组放电电极依次按照第一正极、第一负极、第二正极、第二负极…的顺序排列;最左侧电弧放电电极与电源的正极相连,最右侧电极与电源负极相连,其余等离子体放电电极按顺序依次在激励器下表面用高压电线两两相连;使用三个电源分别给三个激励器供电。

全文数据:

权利要求:

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