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申请/专利权人：重庆邮电大学

摘要：本发明涉及一种具有三沟道双复合槽栅的VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括漏极N+区、漂移区、P‑well区、源极P+区、源极N+区、沟槽栅氧化层、沟槽复合栅以及在源极、栅极和漏极处形成的金属电极。本发明公开了一种具有三沟道双复合槽栅的VDMOS器件，通过在VDMOS器件沟槽栅极部分引入源极N+区形成三条电子电流沟道；通过在VDMOS器件栅极部分引入主栅和分裂栅形成复合栅，其中分裂栅的引入形成了沟道MOS二极管。复合栅减小了栅极与漏极的耦合面积，降低了器件的反馈电容；在反向恢复时，沟道MOS二极管的提前开启抑制了寄生PN结二极管的开启，大幅降低了寄生PN结二极管空穴的注入效率。

主权项：1.一种具有三沟道双复合槽栅的VDMOS器件，其特征在于：该器件包括：漏极N+区17；漂移区7，形成于漏极N+区17表面；第一P-well区4、第二P-well区13、第三P-well区14，形成于所述漂移区7表面；第一源极P+区1，形成于所述第一P-well区4表面；第二源极P+区3，形成于所述第三P-well区14表面；第三源极P+区10，形成于所述第二P-well区13表面；第一源极N+区2，形成于所述第一P-well区4表面，其左侧与第一源极P+区1接触；第三源极N+区12，形成于所述第三P-well区14表面，其左侧与第二源极P+区3接触；第二源极N+区11，形成于所述第二P-well区13表面，其右侧与第三源极P+区10接触；第一沟槽氧化层6，形成于所述第一P-well区4和第三P-well区14中间，所述第一沟槽氧化层6的其余部分与第一源极N+区2接触、与第二源极P+区3接触、与漂移区7接触；第二沟槽氧化层16，形成于所述第二P-well区13和第三P-well区14中间，所述第二沟槽氧化层16的其余部分与第二源极N+区11接触、与第三源极N+区12接触、与漂移区7接触；第一复合栅主栅5，形成于所述第一沟槽氧化层6中；第二复合栅主栅15，形成于所述第二沟槽氧化层16中；第一复合栅分裂栅8，形成于所述第一沟槽氧化层6中；第二复合栅分裂栅9，形成于所述第二沟槽氧化层16中；金属电极，包括漏极金属电极18、在所述第一源极P+区1、第二源极P+区3、第三源极P+区10、第一源极N+区2、第二源极N+区11、第三源极N+区12和所述第一复合栅分裂栅8、第二复合栅分裂栅9表面形成的源极金属电极以及在所述第一复合栅主栅5、第二复合栅主栅15表面形成的栅极金属电极。

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权利要求：

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