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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明涉及功率器件封装及其散热技术，旨在提供一种基于晶圆片上生长的一体化液冷微流道埋入式封装结构。该封装结构，包括下述的由上至下依次布置的多层结构：上晶圆层，包括N组歧管；下晶圆层，包括上表面具有N组微流道且下表面具有绝缘外延层，在绝缘外延层的表面设有N组引线框架；芯片层，包括N组芯片以及金属连接块；再布线层，包括用于填充的绝缘填料，其表面具有N组金属电路图案；阻焊层，位于再布线层外侧，在阻焊层中与金属电路图案相对应位置设有焊盘。本发明能够消除各层结构间的孔隙，实现更紧密一体化集成；省去热界面材料，保持极低的传导热阻；制备的封装模块具有超低寄生电感和极低热阻，兼具了优良散热性能和电气性能。
主权项：1.一种基于晶圆片上生长的一体化液冷微流道埋入式封装结构，其特征在于，包括下述的由上至下依次布置的多层结构：上晶圆层，包括N组以刻蚀工艺或激光切割形成的歧管，各组歧管纵向贯穿上晶圆衬底用于引入和引出冷却液；下晶圆层，在下晶圆衬底的上表面具有N组以刻蚀工艺形成的微流道，在下晶圆衬底的下表面具有异质外延工艺生长的绝缘外延层；微流道的深度小于下晶圆衬底的厚度，使微流道底部与绝缘外延层之间保持距离；在绝缘外延层的表面设有N组引线框架；芯片层，包括N组芯片以及金属连接块，通过烧结或焊接工艺贴装在引线框架上；再布线层，包括填充于各组引线框架、芯片以及金属连接块相连间隙中的绝缘填料；在绝缘填料的表面具有N组金属电路图案，金属电路图案通过金属盲孔与内部的芯片层相连；阻焊层，位于再布线层外侧，在阻焊层中与金属电路图案相对应位置设有焊盘；所述封装结构中，各组歧管、微流道、引线框架、芯片、金属连接块和金属电路图案均位于上晶圆层或下晶圆层的有效排布区域，且一一对应布置从而组成N个相互独立且均匀排布的单元结构，N的数量根据所选晶圆尺寸和所设计单元结构的尺寸决定；各单元结构具有相同的层级布置关系，但不同单元结构中的结构部件和连接方式根据设计方案保持一致或存在差异；相邻单元结构之间以绝缘填料实现间隔；上晶圆层和下晶圆层之间通过键合方式连接，使各单元结构中的歧管和微流道以相互垂直的方式相对地贴合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 基于晶圆片上生长的一体化液冷微流道埋入式封装结构
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