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申请/专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
摘要：本发明提供了一种CuTiZrNbTa高熵合金复合材料及其制备方法，该制备方法包括：步骤S1，制备等原子比的TiZrNbTa高熵合金粉末；步骤S2，采用球磨法将Cu粉与所述TiZrNbTa高熵合金粉末混合，得到混合粉末，然后将混合粉末进行放电等离子体烧结；其中，所述TiZrNbTa高熵合金粉末在混合粉末的质量百分比为10‑30wt.％，放电等离子体烧结的温度为733K～853K，压力为550‑650MPa。本发明技术方案通过将Cu粉与TiZrNbTa高熵合金粉末进行混合烧结，利用难熔TiZrNbTa等原子比高熵合金作为增强体，使得CuTiZrNbTa高熵合金复合材料兼顾高强度和高导电性。
主权项：1.一种CuTiZrNbTa高熵合金复合材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1，制备等原子比的TiZrNbTa高熵合金粉末；步骤S2，采用球磨法将Cu粉与所述TiZrNbTa高熵合金粉末混合，得到混合粉末，然后将混合粉末进行放电等离子体烧结；其中，所述TiZrNbTa高熵合金粉末在混合粉末的质量百分比为10-30wt.％，放电等离子体烧结的温度为733K～853K，压力为550-650MPa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) 一种Cu/TiZrNbTa高熵合金复合材料及其制备方法
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