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一种基于1T1C铁电存储单元的神经元电路 

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申请/专利权人:电子科技大学

摘要:本发明属于集成电路设计技术领域,提出了一种基于1T1C铁电存储单元的神经元电路。该发明采用将脉冲信号存入一列并联1T1C铁电单元中以及读出时脉冲信号自动转换为膜电压,实现对输入脉冲信号进行累计与存储的技术方法;将编程数据存入另一列并联1T1C铁电单元中,读出时转换为发动阈值电压的技术方法;通过灵敏放大器对比二者的值,对脉冲产生进行判断的技术方法,实现了类似于神经元树突,轴突,胞体功能。因为基于1T1C铁电存储单元,具有高可靠性,高速,低功耗等特点,有望应用于类脑芯片和新型神经网络模型中。

主权项:1.一种基于1T1C铁电存储单元的神经元电路,其特征在于,所述基于1T1C铁电存储单元的神经元电路包含:计算部分和存储部分;所述计算部分由分别并联在BL_V与BL_A两列位线上的m个和n个n≥m,且m,n均为正整数1T1C铁电存储单元和以BL_V,BL_A作为输入的灵敏放大器senseamp_a组成;所述存储部分由分别并联在BL_V与BL_A两列位线上的m个和n个1T1C铁电存储单元、一个1T1C参考电压产生模块vrefcell,以及分别用于连接BL_V和参考电压模块、BL_A和参考电压模块的两个灵敏放大器senseamp_b与senseamp_c组成。

全文数据:

权利要求:

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