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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

摘要：本发明涉及具有dVdt可控性的功率半导体装置。一种功率半导体装置包括：半导体主体，耦合到功率半导体装置的第一负载端子和第二负载端子并且包括漂移区域，漂移区域被配置为在所述端子之间传导负载电流，漂移区域包括第一导电型的掺杂物；源极区域，被布置为与第一负载端子电接触并且包括第一导电型的掺杂物；沟道区域，包括第二导电型的掺杂物并且隔离源极区域与漂移区域；至少一个功率单位基元，包括至少一个第一类型沟槽、至少一个第二类型沟槽和至少一个第三类型沟槽，所述沟槽被布置为横向彼此相邻，其中所述沟槽中的每个沟槽沿着延伸方向延伸到半导体主体中并且包括绝缘体，绝缘体将相应的沟槽电极与半导体主体绝缘。

主权项：1.一种功率半导体装置，包括：半导体本体，耦合到第一负载端子和第二负载端子并且包括被配置为在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流的漂移区域；源极区域，布置成与第一负载端子电接触；沟道区域，将源极区域与漂移区域隔离；和至少一个功率单位基元，包括：至少一个第一类型沟槽、至少一个第二类型沟槽和至少一个第三类型沟槽，每个沟槽延伸到半导体本体中并且包括绝缘体，该绝缘体使相应的沟槽电极与半导体本体绝缘；半导体本体的第一台面区，第一台面区至少由至少一个第一类型沟槽并且由至少一个第二类型沟槽横向限制，第一台面区至少包括源极区域、沟道区域和漂移区域中的每个区域的相应部分；半导体本体的第二台面区，其中在功率单位基元的垂直截面中，功率单位基元被配置为防止负载电流穿过第二台面区和第一负载端子之间的过渡区；半导体本体的另一第二台面区，其中在功率单位基元的垂直截面中，功率单位基元被配置为防止负载电流穿过另一第二台面区和第一负载端子之间的过渡区，其中至少一个第三类型沟槽位于第二台面区和另一第二台面区之间，其中至少一个第一类型沟槽的沟槽电极以电气方式耦合到功率半导体装置的控制端子，并且被配置为控制被包括在第一台面区中的沟道区域的部分中的负载电流，其中至少一个第二类型沟槽的沟槽电极以电气方式连接到第一负载端子，其中至少一个第三类型沟槽的沟槽电极被配置为至少在功率半导体装置的开关操作期间表现出除至少一个第一类型沟槽和至少一个第二类型沟槽中的每个沟槽电极之外的另一电势，并且其中第三类沟槽的沟槽电极与第一负载端子和控制端子中的一个之间的有效欧姆电阻是第一类沟槽的沟槽电极和控制端子之间的总电阻的至少二倍。

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