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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本申请提供了擦除非易失性存储器装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。在擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。
主权项：1.一种擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法，所述存储器块包括连接在位线与共源极线之间的多个NAND串，所述NAND串中的每一个包括多个串选择晶体管、多个存储器单元以及多个地选择晶体管，最上面的串选择晶体管分别连接至对应的位线，最下面的地选择晶体管连接至所述共源极线，该方法包括以下步骤：针对数据擦除操作的各个预定循环确定用于所述存储器块的数据擦除特性是否变差，所述存储器块中具有所述多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠；以及当确定所述数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择所述存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作，其中，在所述数据擦除操作中，i将擦除电压施加至所述存储器块的共源极线，将作为擦除允许电压的栅极电压施加至与所述共源极线连接的地选择晶体管的栅电极，并且当确定所述数据擦除特性变差时，改变所述地选择晶体管的与所述共源极线连接的漏电极与所述栅电极之间的电压差，或者ii将擦除电压施加至所述存储器块的位线，并将作为擦除允许电压的栅极电压施加至与所述位线连接的串选择晶体管的栅电极，并且当确定所述数据擦除特性变差时，改变所述串选择晶体管的与所述位线连接的漏电极与所述栅电极之间的电压差，其中，确定数据擦除特性是否变差的步骤包括：测量所述选择晶体管的阈电压的分布；对所述选择晶体管中的第一选择晶体管的数量计数，所述第一选择晶体管的阈电压被感测为低于第一参考电压；以及基于所述第一选择晶体管的数量确定所述数据擦除特性的变差程度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 擦除NVM装置中的数据的方法和执行该方法的NVM装置
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