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摘要：本发明公开了一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明结合化学气相沉积与范德华外延生长的方法，以碲化镉粉末、硒化镉粉末和氯化镉粉末作为蒸发源，氩气和氢气混合气作为沉积反应气氛，原子级平整的云母作为范德华外延衬底，通过调控生长源的位置以及反应温度和时间，得到了成分可调、高质量的单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的CdSexTe1‑x二维纳米片具有均一的[111]取向，成分可调等优点，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。
主权项：1.一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1-x二维纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）用石英舟盛放氯化镉粉末置于加热中心的上游作为第一蒸发源，用另一石英舟盛放碲化镉粉末置于氯化镉粉末下游和加热中心上游之间作为第二蒸发源，盛放硒化镉粉末的石英舟位于加热中心，将衬底置于管式炉加热中心下游；（2）将氩氢混合气作为材料反应生长的气氛通入石英管内，并调整流速，设定加热温度与时间，开启管式炉，使石英管内进行化学气相沉积反应，待管式炉程序结束之后取出衬底，衬底表面即是生长的单晶六方[111]取向的CdSexTe1-x二维纳米片。
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百度查询： 福州大学 清源创新实验室 一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1-x二维纳米片的制备方法
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