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摘要：本发明涉及一种Fe2Ng‑C3N4异质结材料及其制备方法和用途；通过引入新的异质结结构来显著提高电荷转移速率和光催化效率。发明一种能够精确构建电子转移通道的两步煅烧法。第一步煅烧过程中氧O取代了g‑C3N4上的吡啶氮N位点，被成功引入到g‑C3N4结构中。第二步煅烧时在热蒸汽气氛下氧O位点大量暴露，与纳米铁粉体形成Fe‑O键，g‑C3N4脱氨产生氨气，与纳米铁粉形成Fe2N并原位生成Fe2Ng‑C3N4异质结，将其命名为Fe‑OCN。新形成的Fe‑O键作为原子级界面电子通道，加速了光生电子向Fe2N的快速转移，Fe2N的高电导率和电荷存储能力大大提高了电荷转移效率和光催化产氢活性。改性后Fe‑OCN具有最高的光催化活性，在可见光下产氢速率不低于5mmolg‑1h‑1，同时其在405nm波长下的量子效率不低于19％。
主权项：1.一种Fe2Ng-C3N4异质结材料，其特征在于，Fe2Ng-C3N4异质结材料包含Fe2N、g-C3N4和Fe-O键桥。
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百度查询： 江苏大学 一种Fe2N/g-C3N4异质结材料及其制备方法和用途
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