龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：英特尔公司
摘要：通过控制晶体管栅极剖面调制芯片性能。一个或多个晶体管可以具有具备不同侧壁斜度的栅极结构。栅极结构可以在纳米片或纳米带或纳米线中的沟道区的堆叠上方，并且不同的栅极剖面可以对应于不同的电特性。具有金属栅极结构的晶体管可以通过例如使用更低的蚀刻功率、更高的蚀刻温度和或更长的蚀刻持续时间策略性地蚀刻栅极结构来调谐，以实现基本上垂直的栅极剖面。
主权项：1.一个或多个装置，包括：第一晶体管，包括通过第一栅极结构的纳米片或纳米线的第一堆叠，其中第一栅极结构的第一侧壁具有第一斜度；和第二晶体管，包括通过第二栅极结构的纳米片或纳米线的第二堆叠，其中第二栅极结构的第二侧壁具有与第一斜度相差至少五度的第二斜度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 通过控制晶体管栅极剖面调制芯片性能
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号