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申请/专利权人：艾普诺瓦泰克公司

摘要：本发明构思涉及一种自旋量子位晶体管100，包括：基层102；第一量子位，其包括：被布置为其间的距离在3nm至10nm的范围内的第一计算半导体岛106和第一读出半导体岛108；第二量子位，其包括：被布置为其间的距离在3nm至10nm的范围内的第二计算半导体岛110和第二读出半导体岛112，其中，所述半导体岛中的每个半导体岛具有使所述半导体岛中的每个半导体岛表现出单个电子空穴的3维量子限制的尺寸，并且其中，所述半导体岛中的每个半导体岛与基层形成半导体异质结。半导体岛中的每个半导体岛具有对应的栅极G1至G4，用于计算岛的调制或读出岛的读出。所述第一计算半导体岛和所述第二计算半导体岛被配置成分别具有独有的谐振频率。计算岛与读出岛之间的控制电极装置B控制量子位之间的耦合。本发明构思还包括一种用于形成自旋量子位晶体管的方法和包括至少一个自旋量子位晶体管的量子计算机。

主权项：1.一种电子空穴自旋量子位晶体管100，包括：基层102；第一量子位103，其包括：被布置为其间的距离在3nm至10nm的范围内的第一计算半导体岛106和第一读出半导体岛108；第二量子位105，其包括：被布置为其间的距离在3nm至10nm的范围内的第二计算半导体岛110和第二读出半导体岛112；其中，所述半导体岛中的每个半导体岛具有使所述半导体岛中的每个半导体岛表现出单个电子空穴的3维量子限制的尺寸，并且其中，所述半导体岛中的每个半导体岛与所述基层形成异质结；其中，所述自旋量子位晶体管100还包括：支持材料116，其被布置在所述半导体岛中的每个半导体岛的顶部并嵌入所述半导体岛中的每个半导体岛；源极端子S，其经由所述支持材料116与所述第一计算半导体岛106电接触；漏极端子D，其经由所述支持材料116与所述第二计算半导体岛110电接触；第一栅极端子G1，其被布置在所述第一计算半导体岛106的上方，所述第一栅极端子G1被配置用于对所述第一计算半导体岛106的自旋状态进行微波调制；第二栅极端子G2，其被布置在所述第一读出半导体岛108的上方，所述第二栅极端子G2被配置用于读出所述第一读出半导体岛108的状态；第三栅极端子G3，其被布置在所述第二计算半导体岛110的上方，所述第三栅极端子G3被配置用于对所述第二计算半导体岛110的自旋状态进行微波调制；第四栅极端子G4，其被布置在所述第二读出半导体岛112的上方，所述第四栅极端子G4被配置用于读出所述第二读出半导体岛112的状态；其中，所述第一计算半导体岛106和所述第二计算半导体岛110被配置成分别具有独有的谐振频率。

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