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一种硒化锑/氧化锑阻隔层和硒化锑光电探测器阵列及其制备方法 

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申请/专利权人:南开大学

摘要:本发明属于光探测技术领域,公开了一种硒化锑氧化锑阻隔层及其制备方法,包括:使用气相输运沉积法在N型吸光层表面沉积硒化锑作为P型吸光层,在P型吸光层表面进行紫外臭氧处理形成氧化锑,氧化锑与P型吸光层的表面共同构成P‑N结阻隔层;并且本发明提供了一种硒化锑光电探测器阵列及其制备方法,其P‑N结阻隔层为上述制备的硒化锑氧化锑阻隔层。本发明工艺简单,使用紫外臭氧处理硒化锑的P型吸光层表面,对硒化锑P型吸光层表面进行氧化生成氧化锑,从而制备出硒化锑氧化锑的P‑N结阻隔层,该P‑N结阻隔层能够抑制探测器阵列各个像素点之间的串扰,显著提升探测器阵列的性能。

主权项:1.一种硒化锑氧化锑阻隔层的制备方法,其特征在于,包括:使用气相输运沉积法在N型吸光层表面沉积硒化锑作为P型吸光层,在所述P型吸光层表面进行紫外臭氧处理形成氧化锑,氧化锑与所述P型吸光层的表面共同构成P-N结阻隔层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南开大学 一种硒化锑/氧化锑阻隔层和硒化锑光电探测器阵列及其制备方法

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