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一种山韭的组织培养方法 

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申请/专利权人:东北农业大学

摘要:本发明公开了一种山韭的组织培养方法,属于山韭组培技术领域,所述方法如下:1外植体无菌处理:选取山韭植株根尖,消毒处理后得到根尖外植体;2诱导培养:将根尖外植体接种在培养基中,于20‑24℃黑暗培养2‑3天后转入温度为20‑24℃,光照强度1500‑2000lx,光照时间10‑12h天的条件下培养5‑7天,得到根尖胚根;3增殖培养:将诱导培养出来的根尖胚根接入增殖培养基内,培于温度20‑24℃,光照强度1500‑2000lx,光照时间10‑12h天的条件下培养15‑20d天;4生根培养:将苗高2‑3cm的幼苗转移至所述生根培养基中,于温度20‑24℃,光照强度1500‑2000lx,光照时间10‑12h天的条件下培养8‑10天后加入处理剂,于温度24‑26℃,光照强度1800‑2200lx,光照时间10‑12h天的条件下继续培养7‑10天,即可进行室外移栽,解决了山韭组培苗易产生玻璃化,且组培时间较长的问题。

主权项:1.一种山韭的组织培养方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:1外植体无菌处理:选取山韭植株根尖,消毒处理后得到根尖外植体;2诱导培养:将根尖外植体接种在培养基中,于20-24℃黑暗培养2-3天后转入温度为20-24℃,光照强度1500-2000lx,光照10-12h天的条件下培养5-7天,得到根尖胚根;3增殖培养:将诱导培养出来的根尖胚根接入增殖培养基内,培于温度20-24℃,光照强度1500-2000lx,光照时间10-12h天的条件下培养15-20d天;4生根培养:将苗高2-3cm的幼苗转移至所述生根培养基中,于温度20-24℃,光照强度1500-2000lx,光照时间10-12h天的条件下培养8-10天后加入处理剂,于温度24-26℃,光照强度1800-2200lx,光照时间10-12h天的条件下继续培养7-10天,即可进行室外移栽。

全文数据:

权利要求:

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