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申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明公开了一种缺陷地结构加载的太赫兹片上边射天线，该边射天线包括由上往下依次设置的顶部介质层1、第一金属层2、第二金属层3、第三金属层4、底部介质层5；其中，第一金属层2为天线的主要辐射层，第二金属层3为平面金属层，第三金属层4为天线的反射层；利用缺陷地结构在不增大芯片尺寸且不引入片外加载结构的同时实现增益和效率的提升，有利于片上大规模组阵。本发明可以获得2dBi的增益和40％的效率。
主权项：1.一种缺陷地结构加载的太赫兹片上边射天线，其特征在于该边射天线包括由上往下依次设置的顶部介质层1、第一金属层2、第二金属层3、第三金属层4、底部介质层5；其中，第一金属层2为天线的主要辐射层，第二金属层3为平面金属层，第三金属层4为为天线的反射层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 缺陷地结构加载的太赫兹片上边射天线
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