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申请/专利权人：宜宾英发德耀科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体设备技术领域，提出了一种提高硅片均匀性的方法。一种提高硅片均匀性的方法，将硅片放入碱抛光槽中，每批硅片在碱抛光后再取出；在1批～50批硅片碱抛光过程中，氢氧化钠的补液量为248mLL～253mLL；在51批～100批硅片碱抛光过程中，氢氧化钠的补液量为242mLL～248mLL；在101批～170批硅片碱抛光过程中，氢氧化钠的补液量为238mLL～242mLL；在171批～300批硅片碱抛光过程中，氢氧化钠的补液量为230mLL～240mLL。此方法可以在碱抛光工艺中保证氧化层的均匀性和实现对厚度的有效控制的效果。
主权项：1.一种提高硅片均匀性的方法，其特征在于，将硅片放入碱抛光槽中，每批硅片在碱抛光后再取出；在1批～50批硅片碱抛光过程中，氢氧化钠的补液量为248mLL～253mLL，去离子水的补液量为190mLmin；在51批～100批硅片碱抛光过程中，氢氧化钠的补液量为242mLmin～248mLL，去离子水的补液量为190mLmin；在101批～170批硅片碱抛光过程中，氢氧化钠的补液量为238mLmin～242mLL，去离子水的补液量为190mLmin；在171批～300批硅片碱抛光过程中，氢氧化钠的补液量为230mLmin～240mLL，去离子水的补液量为190mLmin。
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百度查询： 宜宾英发德耀科技有限公司 一种提高硅片均匀性的方法
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