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申请/专利权人：武汉泰朴半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种CMOS温度传感器测量方法，包括以下步骤：采集外界温度，基于两个场效应管电路分别将外界温度转换，得到相应的亚阈值电流；根据两个亚阈值电流的比值与温度建立函数方程；基于环形振荡器将亚阈值电流转换，得到相应的输出时钟信号及其频率，将两个亚阈值电流的比值转换为两个输出时钟信号频率之比；将两个时钟信号分别输入至频率计数器电路中进行计数，得到输出周期数，将两个输出时钟信号频率的比值转换为两个输出周期数之比；根据两个输出周期数的比值和函数方程，得到对应的输出数字温度，能够快速准确地计算出对应的数字温度值，实现了高精度、宽温度范围、低功耗和数字化输出的测量目的，提高了温度测量的效率和准确性。
主权项：1.一种CMOS温度传感器测量方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，采集外界温度，构建两个场效应管电路，基于两个场效应管电路分别将外界温度转换，得到相应的亚阈值电流；S2，根据两个亚阈值电流的比值与温度建立函数方程，获得近似线性关系的温度范围区间；S3，构建环形振荡器，基于环形振荡器将亚阈值电流转换，得到相应的输出时钟信号及其频率，将两个亚阈值电流的比值转换为两个输出时钟信号频率之比；S4，构建频率计数器电路，将两个时钟信号分别输入至频率计数器电路中进行计数，得到输出周期数，将两个输出时钟信号频率的比值转换为两个输出周期数之比；S5，根据两个输出周期数的比值和函数方程，得到对应的输出数字温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉泰朴半导体有限公司 一种CMOS温度传感器测量方法
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