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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种金刚石衬底上外延GaNSb基长波长的LED器件及其制备方法，LED器件从下至上依次包括：金刚石衬底层、GaNxSb1‑x缓冲层、超晶格层、n型GaNySb1‑y层、多量子阱层、电子阻挡层、p型GaNySb1‑y层，还包括设置于n型GaNySb1‑y层上的n型电极和设置于p型GaNySb1‑y层上的p型电极。本发明使用GaNSb材料可以实现高效率的长波长LED器件，填补传统InGaN基LED在长波长发光领域的不足，能够减少各层结构间的应力，从而提高材料质量，极大提高可见光长波长范围LED器件的发光效率。本发明能显著解决传统长波长LED器件的应力问题，代替InGaN基长波长LED器件，实现高效率、高功率和高稳定性等特性。
主权项：1.一种金刚石衬底上外延GaNSb基长波长的LED器件，其特征在于，所述LED器件包括：金刚石衬底层；GaNxSb1-x缓冲层，设置于所述金刚石衬底层上；超晶格层，设置于所述GaNxSb1-x缓冲层上，包括n个周期的GaNxSb1-x层GaNySb1-y层，n≥2；n型GaNySb1-y层，设置于所述超晶格层上，所述n型GaNySb1-y层包括第一部分的n型GaNySb1-y层和第二部分的n型GaNySb1-y层，所述第一部分的n型GaNySb1-y层的上表面高于所述第二部分的n型GaNySb1-y层的上表面；多量子阱层，设置于所述第一部分的n型GaNySb1-y层上，所述多量子阱层包括m个周期的GaNzSb1-z量子阱层GaNySb1-y量子垒层，其中，超晶格层中的Sb组分低于多量子阱层中的Sb组分；电子阻挡层，设置于所述多量子阱层上；p型GaNySb1-y层，设置于所述电子阻挡层上；n型电极和p型电极，所述n型电极设置于所述第二部分的n型GaNySb1-y层上，所述p型电极设置于所述p型GaNySb1-y层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种金刚石衬底上外延GaNSb基长波长的LED器件及其制备方法
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