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申请/专利权人：中国科学院物理研究所
摘要：本发明提供一种单一磁结构的HoNiAl材料及其制备方法，以及调控其磁热熵变的方法和应用，该材料的磁结构如图3所示。本发明通过添加适量的稀土Ho挥发补偿量，并选择合适的退火温度和退火时间，得到具有单一磁结构的HoNiAl化合物。在磁场中，所述单一磁结构的HoNiAl材料的磁热熵变能够在静水压作用下增大至少60％。
主权项：1.一种具有单一磁结构的反铁磁HoNiAl材料，即呈现出面内反铁磁耦合和沿c轴的面外铁磁耦合的基态磁结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院物理研究所 单一磁结构的HoNiAl材料及调控其磁热熵变的方法
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