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申请/专利权人：哈尔滨芯明天科技有限公司
摘要：高压功率放大电路和高压压电陶瓷驱动器，涉及功率放大器领域。为解决现有技术中存在的，传统的集成高压芯片驱动能力弱，电流小，成本高的技术问题，本实用新型提供的技术方案为：高压功率放大电路，电路包括：电阻R26连接集成运放和电阻R27；集成运放、反相电压放大电路A和PMOS管Q4串联；Q4与电阻R22和NMOS管Q2串联，Q2连接正压过载保护电路；Q4、电阻R24、电阻R51、电阻R20和PMOS管Q13串联，Q13连接负压过保护电路；Q4连接稳压二极管D5，R27远离R26分别连接正压过载保护电路和负压过载保护电路；Q4连接二极管D8，D8连接稳压二极管D9，D9连接NMOS管Q9，Q9连接电阻R60，R60连接R20；Q9连接R51，Q9连接稳压二极管D14，D14连接R20。适合应用于各种高功率电路中。
主权项：1.高压功率放大电路，其特征在于，所述电路包括：电阻R26分别连接集成运放的输入端和电阻R27；所述集成运放、反相电压放大电路A和PMOS管Q4的栅极依次串联；所述Q4的漏极还与电阻R22和NMOS管Q2的栅极依次串联，Q2的源级连接正压过载保护电路的输出端；所述Q4的源级、电阻R24、电阻R51、电阻R20和PMOS管Q13的漏极依次串联，Q13的源级连接负压过保护电路的输出端；Q4的栅极还连接稳压二极管D5的正极，D5的负极连接在R24和R51之间；电容C4与所述R27并联；所述R27远离所述R26的一端分别连接正压过载保护电路和负压过载保护电路的输入端；所述Q4的漏极连接二极管D8的正极，D8的负极连接稳压二极管D9的负极，D9的正极连接NMOS管Q9的漏级，Q9的源级连接电阻R60，所述R60连接在所述R20和Q13的漏极之间；所述Q9的栅极连接所述R51和R20之间，Q9还连接稳压二极管D14的负极，D14的正极连接在R20和R60之间。
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权利要求：
百度查询： 哈尔滨芯明天科技有限公司 高压功率放大电路和高压压电陶瓷驱动器
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