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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
摘要：本发明涉及一种硅片清洗方法，包括以下步骤：S1：采用含氟离子的酸性清洗溶液对硅片进行清洗，以去除硅片中的金属铝离子，其中氟离子的浓度大于6E‑9molL，清洗溶液的PH值小于4。将Al3+转换为AlF63‑，降低了标准氧化还原电位，以有效的去除Al离子。本发明还提供一种硅片清洗设备。
主权项：1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S00：采用SC1清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的颗粒污染、有机杂质及金属离子，所述SC1清洗液包括NH4OH，H2O2，H2O；S01：采用DHF清洗液对硅片进行清洗，以腐蚀在步骤S00中在硅片表面形成的氧化膜，所述DHF清洗液包括HF，H2O；S02：采用SC2清洗液对硅片进行清洗，以去除硅片表面的金属离子，所述SC2清洗液包括HCl，H2O2，H2O；S1：采用含氟离子的酸性清洗溶液对硅片进行清洗，使得Al3+转换为AlF63-以去除硅片中的金属铝离子，其中氟离子的浓度大于6E-9molL，清洗溶液的PH值小于4；氟离子的浓度为6E-6molL～6E-9molL。
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权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安奕斯伟硅片技术有限公司 硅片清洗方法及硅片清洗设备
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