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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种降低体金属的晶圆加工工艺方法，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：前加工工序，即加工至待抛光状态前涉及的晶圆加工工序。第二步：对晶圆进行双面抛光和边缘抛光。第三步：对经过抛光的晶圆进行洗净。第四步：进行RTP快速热退火工序，将晶圆快速进入较高温度，并短暂经历高温热处理过程，再快速降温。第五步：RTP快速热退火结束后先进行洗净，再对晶圆正面或正反两面都进行最终抛光。通过加热工艺，将晶圆体内快扩散金属富集与晶圆表面，结合清洗和最终抛光，完成去除晶圆表面的金属过程，实现降低体金属的效果。同时不增加晶圆表面粗糙度和颗粒数。
主权项：1.一种降低体金属的晶圆加工工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：前加工工序，即加工至待抛光状态前涉及的晶圆加工工序；第二步：对晶圆进行双面抛光和边缘抛光；第三步：对经过抛光的晶圆进行洗净；第四步：进行RTP快速热退火工序，将晶圆快速进入较高温度，并短暂经历高温热处理过程，再快速降温；第五步：RTP快速热退火结束后先进行洗净，再对晶圆正面或正反两面都进行最终抛光。
全文数据：
权利要求：
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