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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体器件的静电放电ESD保护单元区域包括并联耦合在第一电源轨PRl和第二电源轨PR2之间的电阻器‑二极管梯和电源钳位电路。电阻器‑二极管梯还耦合在半导体器件的输入输出IO焊盘和半导体器件的核心电路之间。电阻器‑二极管梯包括：第一二极管，耦合在第一节点和第一电源轨之间；第一电阻器，耦合在第一节点和第二节点之间；第二二极管，耦合在第二节点和第一电源轨之间；第三二极管，耦合在第一节点和第二电源轨之间；以及第四二极管，耦合在第二节点和第二电源轨之间。第一节点耦合至IO焊盘。电阻器‑二极管梯耦合在IO焊盘和核心电路之间。
主权项：1.一种半导体器件的静电放电保护单元区域，所述静电放电保护单元区域包括：电阻器-二极管梯和电源钳位电路，并联耦合在具有第一参考电压的第一电源轨和具有不同于所述第一参考电压的第二参考电压的第二电源轨之间；并且所述电阻器-二极管梯还耦合在所述半导体器件的输入输出焊盘和所述半导体器件的核心电路之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 电阻器-二极管梯区域、静电放电保护单元区域及其形成方法
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