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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置。所述外延膜层的生长装置包括：反应腔室；基座，位于所述反应腔室内，所述基座包括本体部和覆盖层，所述本体部包括相对分布的第一表面和第二表面，所述本体部的所述第一表面用于承载晶圆，所述覆盖层覆盖于所述本体部的所述第二表面上，所述覆盖层用于增大所述晶圆与所述基座之间的成膜选择比。本发明确保了所述晶圆表面生长的外延膜层厚度的准确性与均匀性，并有助于提高外延膜层的质量，且实现了外延生长工艺的简化。
主权项：1.一种外延膜层的生长装置，其特征在于，包括：反应腔室；基座，位于所述反应腔室内，所述基座包括本体部和覆盖层，所述本体部包括相对分布的第一表面和第二表面，所述本体部的所述第一表面用于承载晶圆，所述覆盖层覆盖于所述本体部的所述第二表面上，所述覆盖层用于增大所述晶圆与所述基座之间的成膜选择比。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置
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