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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：公开了超低剖面堆叠RDL半导体封装件。本文所述的具有堆叠RDL的半导体封装件的示例可以包括例如第一RDL和第二RDL，该第一RDL包括耦接到第二RDL的多个RDL层，该第二RDL包括使用铜柱和底部填充剂代替常规衬底的多个RDL层。本文的示例可以使用RDL代替衬底以实现更小的设计特征尺寸x、y尺寸减小、更薄的铜层和更少的金属使用z尺寸减小、在封装的任一侧附接半导体管芯和表面安装器件SMD的灵活性以及更少数量的构建RDL层。
主权项：1.一种半导体封装件，包括：第一再分布层RDL，其中所述第一RDL包括n个层；第二RDL，其中所述第二RDL包括m个层；连接层，耦接到所述第一RDL的第一侧和所述第二RDL的第一侧；第一表面安装器件SMD，耦接到所述第一RDL的与所述第一RDL的所述第一侧相对的第二侧；以及第二SMD，耦接到所述第二RDL的与所述第二RDL的所述第一侧相对的第二侧；其中所述连接层包括铜柱和底部填充剂的交替区域；并且其中所述连接层的至少一个铜柱不与所述第一RDL或所述第二RDL中的至少一个物理接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 超低剖面堆叠RDL半导体封装件
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