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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司;北京京东方技术开发有限公司
摘要：本公开提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。该薄膜晶体管设于衬底基板的一侧，包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层和有源层，薄膜晶体管还包括位于源漏金属层的源极和漏极；有源层包括依次连接的源极接触区域、第一导体化区域、沟道区域、第二导体化区域和漏极接触区域；源极接触区域与源极连接，漏极接触区域与漏极连接；源极接触区域在衬底基板上的正投影和漏极接触区域在衬底基板上的正投影，位于栅极在衬底基板上的正投影以外；沟道区域在衬底基板上的正投影，位于栅极在衬底基板上的正投影以内。该薄膜晶体管可以提高阵列基板上的驱动电路的驱动速度。
主权项：1.一种薄膜晶体管，设于衬底基板的一侧，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层和有源层，所述薄膜晶体管还包括位于源漏金属层的源极和漏极；所述有源层包括依次连接的源极接触区域、第一导体化区域、沟道区域、第二导体化区域和漏极接触区域；所述源极接触区域与所述源极连接，所述漏极接触区域与所述漏极连接；所述源极接触区域在所述衬底基板上的正投影和所述漏极接触区域在所述衬底基板上的正投影，位于所述栅极在所述衬底基板上的正投影以外；所述沟道区域在所述衬底基板上的正投影，位于所述栅极在所述衬底基板上的正投影以内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 南京京东方显示技术有限公司 北京京东方技术开发有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
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