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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本申请公开了半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，包括以下步骤：Pd沉积，待腐蚀区域制备待腐蚀区域制备；预清洗；一次氧化臭氧预处理；二次氧化FeCl3氧化；酸洗；螯合剂后处理，在FeCl3一次氧化腐蚀的基础上，提出了增加臭氧二次氧化处理过程，通过上述两步氧化处理，使表层Pd充分形成氧化层，更易于溶解在酸性溶液中，进而实现金属Pd的有效无氰腐蚀。通过螯合剂后处理，能够有效减少表面Pd离子难溶物残留，上述过程所用试剂不包含氰化物及其他重金属盐离子试剂，是一种清洁环保的腐蚀工艺，操作简便，工艺可控，对于半导体蚀法腐蚀工艺的优化发展具有重要意义。
主权项：1.一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，Pd沉积：采用PVD物理气相沉积在碳基材料衬底上沉积厚度为50～100nm的Pd金属层；第二步，待腐蚀区域制备：在Pd金属层表面旋涂一层正性光刻胶，光刻后采用TMAH显影，制备待腐蚀图形结构样品；第三步，一次氧化臭氧预处理：在带有臭氧发生器的系统中，采用臭氧处理待腐蚀图形结构样品，使Pd金属层表面初步氧化；第四步，二次氧化：采用HClFeCl3溶液对金属Pd进行二次氧化；第五步，酸处理：采用HCl和H3PO4混合溶液进行酸洗处理；第六步，螯合剂后处理：通过金属离子螯合剂与酸处理后的溶液中未溶解的Pd离子发生络合反应，形成稳定的络合产物溶解在溶液中，减少表面Pd离子难溶物残留，所述金属离子螯合剂为乙二胺四乙酸EDTA、酒石酸TA、葡萄糖酸GA和水的混合溶液。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种半导体工艺中金属钯无氰腐蚀的方法
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