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申请/专利权人：烟台奇创芯源科技有限公司
摘要：本申请涉及红外探测器芯片制备领域，公开了一种碲镉汞红外探测器及其制备方法，包括准备经过离子注入的、表面分布有复合钝化层的碲镉汞晶片；复合钝化层包括层叠的第一钝化层和第二钝化层；去除第二钝化层；在处理后碲镉汞晶片的表面制作图形化光刻胶；在再处理碲镉汞晶片的表面制作新的第二钝化层；去除图形化光刻胶，在新的第二钝化层中形成通孔；刻蚀位于通孔下方的第一钝化层和碲镉汞晶片，形成接触孔；制作电极，得到碲镉汞红外探测器。新的第二钝化层没有被离子注入工艺损伤，可以提升器件性能；采用剥离光刻胶的方式在新的第二钝化层中形成通孔，避免了刻蚀第二钝化层引起的接触孔深度均匀性变差的问题，同时有利于实现低损伤刻蚀工艺。
主权项：1.一种碲镉汞红外探测器的制备方法，其特征在于，包括：准备经过离子注入的、表面分布有复合钝化层的碲镉汞晶片；所述复合钝化层包括在远离所述碲镉汞晶片表面方向上层叠的第一钝化层和第二钝化层；去除所述第二钝化层，得到处理后碲镉汞晶片；在所述处理后碲镉汞晶片的表面制作图形化光刻胶，得到再处理碲镉汞晶片；在所述再处理碲镉汞晶片的表面制作新的第二钝化层，得到表面分布有新的复合钝化层的碲镉汞晶片；去除所述图形化光刻胶，在所述新的第二钝化层中形成通孔；刻蚀位于所述通孔下方的所述第一钝化层和所述碲镉汞晶片，形成接触孔；在所述接触孔中制作电极，引出所述碲镉汞晶片的PN结的电学性能，得到碲镉汞红外探测器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 烟台奇创芯源科技有限公司 一种碲镉汞红外探测器及其制备方法
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