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申请/专利权人：广东致能科技有限公司
摘要：本发明涉及一种GaN超结器件，包括：第一势垒柱，包括AlGaN；第一沟道柱，第一沟道柱和所述第一势垒柱相邻并位于所述第一势垒柱的一侧，所述第一沟道柱中邻近第一沟道柱与第一势垒柱的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG；第二势垒柱，包括AlGaN，所述第二势垒柱和所述第一沟道柱相邻并位于所述第一沟道柱的另一侧，所述第一沟道柱中邻近第二沟道柱与第一势垒柱的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG，所述二维电子气2DEG和二维空穴气2DHG形成超结；其中，所述二维电子气2DEG和二维空穴气2DHG中具有相近的面密度；掺杂层，设置在所述第一沟道柱与第一势垒柱上方；第一电极，其设置在所述第一沟道柱与第一势垒柱下方，至少电耦合至所述二维电子气；第二电极，其设置在所述第一势垒柱上方，电耦合至所述所述二维电子气；其中，所述第一势垒柱、第一沟道柱和掺杂层为III‑V族半导体材料，所述第一势垒柱、第一沟道柱具有大致相同的晶体质量。本申请还涉及一种GaN超结器件的制造方法。
主权项：1.一种III-V族半导体超结器件，包括：第一势垒柱；第一沟道柱，第一沟道柱和所述第一势垒柱相邻并位于所述第一势垒柱的一侧，所述第一沟道柱中邻近第一沟道柱与第一势垒柱的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG；第二势垒柱，所述第二势垒柱和所述第一沟道柱相邻并位于所述第一沟道柱的另一侧，所述第一沟道柱中邻近第一沟道柱与第二势垒柱的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG，所述二维电子气2DEG和二维空穴气2DHG形成超结；其中，所述二维电子气2DEG和二维空穴气2DHG中具有相近的面密度；其中，第一势垒柱、第一沟道柱和第二势垒柱包括III-V族半导体；掺杂层，设置在所述第一沟道柱与第一势垒柱上方第一电极，其设置在所述第一沟道柱与第一势垒柱下方，至少电耦合至所述二维电子气；第二电极，其设置在所述第一势垒柱上方，电耦合至所述二维电子气；其中，所述第一势垒柱、第一沟道柱和掺杂层为III-V族半导体材料，所述第一势垒柱、第一沟道柱具有大致相同的晶体质量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东致能科技有限公司 一种III-V族半导体超结器件及其制造方法
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