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申请/专利权人：浙江翠展微电子有限公司
摘要：一种TPAK铜clip单管塑封结构，其包括载体层，TPAK器件层，连接层，盖板。所述载体层包括DBC上铜层，第一功率端子，第二功率端子，发射极信号端子，门极信号端子。所述连接层包括第一连接结构，第二连接结构，第三连接结构。与现有技术相比，本实用新型通过设置所述连接层，采用Cu‑Clip连接，电流分布更加均匀，信号端子波形更加稳定，避免了键合线脱落从而影响寿命及可靠性。同时通过设置一体成型的所述第一功率端子与DBC上铜层，减少了焊料的使用，降低焊料失效的风险，同时芯片布局空间变大，减少热耦合的影响，回流焊下残余应力也降低。最后通过塑封，使得结构更加稳定，信号端子不会在使用的过程中有脱离的风险。
主权项：1.一种TPAK铜clip单管塑封结构，其特征在于：所述TPAK铜clip单管塑封结构包括一个载体层，一个设置在所述载体层上的TPAK器件层，一个设置在所述TPAK器件层上的连接层，以及一个设置在所述载体层上的盖板，所述载体层包括一个DBC上铜层，一个与所述DBC上铜层连接的第一功率端子，一个设置在所述DBC上铜层一侧的第二功率端子，一个设置在所述DBC上铜层一侧的发射极信号端子，以及一个设置在所述DBC上铜层一侧的门极信号端子，所述第一功率端子与所述DBC上铜层一体成型，所述TPAK器件层采用多个并联设置的芯片，所述连接层包括多个连接在所述第二功率端子与所述TPAK器件层之间的第一连接结构，一个连接在所述发射极信号端子与所述TPAK器件层之间的第二连接结构，以及一个连接在所述门极信号端子与所述TPAK器件层之间的第三连接结构，所述第一连接结构为一个从所述第二功率端子延伸出来的板状结结构且与所述第二功率端子一体成型，所述第二连接结构为一个从所述发射极信号端子延伸出来的板状结结构且与所述发射极信号端子一体成型，所述第三连接结构为一个从所述门极信号端子延伸出来的板状结结构且与所述门极信号端子一体成型，所述第一连接结构、第二连接结构及第三连接结构均通过Cu-Clip互连技术连接在所述TPAK器件层上，所述盖板通过塑封技术将所述TPAK器件层与连接层封装在内。
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权利要求：
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