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申请/专利权人：华翊博奥(北京)量子科技有限公司
摘要：本文公开一种芯片离子阱及量子计算装置，包括：射频RF电极、直流DC电极和孔槽；其中，一个以上RF电极的一条以上边，在距离孔槽预设距离的范围内包含一个以上内凹形状；其中，内凹形状包括：位于内凹形状两端的第一线段与和第一线段相邻的第二线段的夹角小于180度，第二线段为第一线段所在射频电极中除去内凹形状部分、与第一线段连接的线段；内凹形状两端的第二线段连接形成第三线段，内凹形状中的点均位于第三线段靠近RF电极中心的一侧。本发明实施例通过RF电极包含的内凹形状，抑制了芯片离子阱中发生电场的畸变，提升了离子阱的轴向一致性，为提高量子计算相关操作的保真度和量子计算机整体性能提供支持。
主权项：1.一种芯片离子阱，包括：射频RF电极、直流DC电极和孔槽；其中，一个以上RF电极的一条以上边，在距离孔槽预设距离的范围内包含一个以上内凹形状；其中，所述内凹形状包括：位于内凹形状两端的第一线段与和第一线段相邻的第二线段的夹角小于180度，第二线段为第一线段所在射频电极中除去内凹形状部分、与第一线段连接的线段；内凹形状两端的第二线段连接形成第三线段，所述内凹形状中的点均位于第三线段靠近RF电极中心的一侧；所述预设距离包括：距离所述孔槽的中心的距离，小于或等于10倍的畸变距离；所述畸变距离为所述RF电极的边上距离所述孔槽的中心最远的交变电场产生畸变的位置、到所述孔槽的中心的距离。
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权利要求：
百度查询： 华翊博奥(北京)量子科技有限公司 一种芯片离子阱及量子计算装置
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