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申请/专利权人：中国科学技术大学

摘要：本公开涉及了一种二维可扩展量子点结构及其制备方法，二维可扩展量子点结构包括：基底，包含有第一定位标记区，第一定位标记区内包含有至少一个离子注入区；第一绝缘层，设置于基底上；欧姆接触层，设置于离子注入区的外围区域上；多个电极层，设置于所述第一绝缘层上，位于外围电极层的电极区内，电极区在第一定位标记区所在平面的投射位置为第一定位标记区的中心位置，每个电极层由多个纳米级的电极组成，不同电极层之间设有绝缘层；还包括外围电极层；以及导通区，形成有连接窗口，用来连接外围电极层和多个电极层上的电极。其中，基于电极形成的独立栅极，栅极间相互重叠，施加电压后形成2×2阵列量子点结构。

主权项：1.一种二维可扩展量子点结构，包括：基底100，包含有第一定位标记区101，所述第一定位标记区101内包含有至少一个离子注入区102；第一绝缘层200，设置于所述基底100上；欧姆接触层201，设置于所述离子注入区102的外围区域上，所述欧姆接触层被第一类量子点和第二类量子点共用；多个电极层，设置于所述第一绝缘层200上，位于外围电极层800的电极区801内，所述电极区801在所述第一定位标记区101所在平面的投射位置为所述第一定位标记区101的中心位置，每个所述电极层由多个纳米级的电极组成，不同所述电极层之间设有绝缘层；所述多个电极层包括：第一电极层，包含有纳米级的第一屏蔽栅电极401和第二屏蔽栅电极402；第二电极层，部分或全部设置于第一电极层上方，包含有纳米级的第一能级栅电极501、第二能级栅电极502以及两组源漏电极503，其中所述源漏电极503设置于所述第一能级栅电极501和第二能级栅电极502的两侧，所述第一能级栅电极501的两侧各为一组源漏电极503；第三电极层，部分或全部设置于第二电极层上方，包含有纳米级的第一势垒栅电极601和第二势垒栅电极602，其中所述第一势垒栅电极601设于所述第一能级栅电极501两侧，所述第二势垒栅电极602设于所述第二能级栅电极502两侧；第四电极层，部分或全部设置于第三电极层上方，包含有纳米级的第三势垒栅电极701，其中所述第三势垒栅电极701设置于所述第一能级栅电极501之间；所述外围电极层800；以及导通区，形成有连接窗口900，用来连接所述外围电极层800和所述多个电极层上的电极；其中，基于所述电极形成的独立栅极，栅极间相互重叠，施加电压后形成2×2阵列量子点结构。

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