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申请/专利权人:南昌航空大学
摘要:本发明一种热生长α‑Al2O3膜的难熔高熵合金制备方法是以AlCrMoTaNb难熔高熵合金和Cr的混合粉末、Al和Si粉混合粉末为原材料,采用激光熔化沉积技术,通过双路同步送粉,在304L钢基材表面上制备出AlCrMoTaNbSi难熔高熵合金。本发明利用激光熔化沉积技术制备出的难熔高熵合金组织致密细小,无明显缺陷,能在1600℃超高温氧化环境下热生长致密连续的单一α‑Al2O3膜,具有优异的抗超高温氧化性能。
主权项:1.一种热生长α-Al2O3膜的难熔高熵合金制备方法,其特征在于:所述的难熔高熵合金制备方法是以AlCrMoTaNb难熔高熵合金和Cr的混合粉末、Al和Si粉的混合粉末为原材料,采用双路同步送粉方式,通过激光熔化沉积,制得能热生长α-Al2O3膜的AlCrMoTaNbSi难熔高熵合金,具体步骤如下:步骤1:将AlCrMoTaNb难熔高熵合金粉末与Cr粉按20∶3.5的质量比例混合,得到AlCrMoTaNb难熔高熵合金和Cr的混合粉末;将Al粉与Si粉按9.8∶11.2的质量比混合得到Al和Si的混合粉末;上述混合粉末分别在120℃温度下,真空干燥处理16h后备用;步骤2:AlCrMoTaNb难熔高熵合金和Cr的混合粉末加到右路送粉器中,Al和Si的混合粉末加到左路送粉器中;步骤3:对304L钢基材预处理,其后放置在激光发射器下方,在氩气的保护下,预热至500℃;步骤4:设置激光熔化沉积工艺参数,采用双路同步送粉方式,在304L钢基材上进行激光熔化沉积,制得能热生长α-Al2O3膜的AlCrMoTaNbSi难熔高熵合金,其中Al为10at%~18at%,Cr为10at%~25at%,Si为10at%~28at%,Mo为10at%~25at%,Ta为10at%~25at%,Nb为10at%~20at%。
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