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申请/专利权人：南通大学
摘要：本发明公开一种单原子掺杂二维纳米材料的制备方法，其特征在于：通过物理气相沉积的方式，利用二维纳米材料的本征结构缺陷，将单原子沉积到二维纳米片表面。本发明利用二维纳米材料的本征结构缺陷作为活性位点，在气氛或真空环境中，在相对低温条件下将单原子锚定在二维纳米材料结构中，制备得到单原子掺杂的二维纳米材料。相比于高温煅烧和化学还原的方式，本发明采用的物理气相沉积法在相对低温和温和的条件下便可得到单原子掺杂纳米材料，制备过程不涉及化学试剂的使用，具有单原子含量可控、低能耗和环境友好等特点，为单原子掺杂纳米材料的制备提供了一种新的解决方案。
主权项：1.一种单原子掺杂二维纳米材料的制备方法，其特征在于：将二维纳米材料的本征结构缺陷作为活性位点，以单原子的单质粉末作为前驱体，通过物理气相沉积的方式，将单原子沉积到二维纳米片表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南通大学 一种单原子掺杂二维纳米材料的制备方法
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