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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成在含有金属的抗蚀剂膜与基板之间形成的含有硅的抗蚀剂下层膜，所述含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物含有：[A]成分：聚硅氧烷；以及[C]成分：溶剂，上述聚硅氧烷包含来源于下述式A‑1所示的水解性硅烷A的结构单元。在式A‑1中，a表示1～3的整数。b表示0～2的整数。a+b表示1～3的整数。R1表示具有不饱和键并且具有环结构的有机基。
主权项：1.一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成在含有金属的抗蚀剂膜与基板之间形成的含有硅的抗蚀剂下层膜，所述含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物含有：[A]成分：聚硅氧烷；以及[C]成分：溶剂，所述聚硅氧烷包含来源于下述式A-1所示的水解性硅烷A的结构单元， 在式A-1中，a表示1～3的整数；b表示0～2的整数；a+b表示1～3的整数；R1表示具有不饱和键并且具有环结构的有机基；R2表示可以被取代的烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的烷氧基烷基、或可以被取代的烯基，或表示具有环氧基的有机基、具有丙烯酰基的有机基、具有甲基丙烯酰基的有机基、具有巯基的有机基、具有氨基的有机基、具有烷氧基的有机基、具有磺酰基的有机基、或具有氰基的有机基、或它们的2种以上的组合；X表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基、或卤原子；在R1、R2及X各自为多个的情况下，多个R1、R2及X可以相同，也可以不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 具有不饱和键和环式结构的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
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