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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式1表示的化合物、聚合物和有机溶剂。式1中，Y1表示单键、氧原子、硫原子、可以被卤素原子或碳原子数6～40的芳基取代的碳原子数1～10的亚烷基或者磺酰基，T1及T2表示碳原子数1～10的烷基，R1及R2各自独立地表示被至少1个羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1及n2各自独立地表示0～4的整数。
主权项：1.一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：选自下述式的化合物、聚合物和有机溶剂， 所述聚合物具有下述式11表示的重复单元结构， 上述式11中，X表示下述式12、式13或式14所示的基团： 上述式12、式13及式14中，R1～R5各自独立地表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、苄基或苯基，上述苯基可以被选自由碳原子数1～6的烷基、卤素原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基及碳原子数1～6的烷基硫基组成的组中的至少1种基团取代，另外，R1与R2、R3与R4可以彼此键合而形成碳原子数3～6的环，A1～A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示包含二硫键的2价基团，n为重复单元结构的数目，且为5至100的整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
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