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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供一种半导体装置和电子系统。半导体装置包括：衬底；堆叠结构；堆叠在衬底上的第一选择栅电极和存储器栅电极；第一沟道结构，其穿透堆叠结构并沿一方向延伸，并包括第一沟道层、第一沟道层和堆叠结构之间的第一介电层、以及第一沟道层上的沟道焊盘；绝缘图案，其在堆叠结构上方；穿透部分，其暴露第一沟道结构的一部分；第二选择栅电极，其在绝缘图案上；以及第二沟道结构，其在一个方向上延伸穿透第二选择栅电极；接触图案，其连接到第一沟道结构，并包括：第一部分，其在沟道焊盘的上表面上在穿透部分内部，以及第二部分，其在第一部分的底表面内部朝向衬底突出以包括位于沟道焊盘和第一介电层中的凹部。
主权项：1.一种半导体装置，包括：衬底；堆叠结构，其包括分开地堆叠在所述衬底上的第一选择栅电极和多个存储器栅电极；第一沟道结构，其穿透所述堆叠结构并沿一个方向延伸，并且包括第一沟道层、设置在所述第一沟道层和所述堆叠结构之间的第一介电层、以及设置在所述第一沟道层上的沟道焊盘；绝缘图案，其设置在所述堆叠结构上方，并具有暴露所述第一沟道结构的至少一部分的穿透部分；第二选择栅电极，其设置在所述绝缘图案上；以及第二沟道结构，其在所述一个方向上延伸以穿透所述第二选择栅电极，并且包括连接到所述第一沟道结构的接触图案，其中，所述接触图案包括：第一部分，其包括在所述沟道焊盘的上表面上的设置在所述穿透部分内的部分，以及第二部分，其在所述第一部分的底表面内部朝向所述衬底突出以包括位于所述沟道焊盘和所述第一介电层中的凹部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置及包括半导体装置的电子系统
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