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申请/专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种高压低功耗SOILIGBT，其在漂移区内引入自阴极至阳极逐渐减小的介质槽，靠近主栅极结构的介质槽内有多晶硅槽为辅助槽栅，该槽栅与主栅短接。在阻断时，变宽度介质槽使得漂移区内杂质分布呈由阴极至阳极增加，获得均匀表面电场，大大提高器件耐压；在正向导通时，介质槽在漂移区近阴极端形成窄台面，实现注入增强和低导通压降；在关断过程中，相同耐压级别下，漂移区内过剩载流子小，实现快关断和低关断损耗。本发明可实现高耐压，在不增加导通压降的情况下，具有更低的关断损耗。
主权项：1.一种高压低功耗SOILIGBT，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠P衬底、绝缘介质埋层和N型漂移区，沿器件横向方向自左向右依次为阴极结构、主栅极结构、漂移区结构和阳极结构；所述阴极结构包括P阱区、P+体接触区、N+阴极区和阴极导电材料；所述P阱区位于N型漂移区上部，所述P+体接触区和N+阴极区相互接触，并列位于P阱区上表面远离N型漂移区的一端，且所述N+阴极区在靠近N型漂移区的一侧，P+体接触区在远离N型漂移区的一侧；P+体接触区和N+阴极区上表面共同引出阴极导电材料为阴极；所述阳极结构包括N型缓冲层、P+阳极区和阳极导电材料；所述P+阳极区位于N型缓冲层内上表面；P+阳极区上表面的阳极导电材料引出端为阳极；所述主栅极结构包括栅介质层、位于其上方的多晶硅材料以及主栅极导电材料；其特征在于，所述漂移区结构依次包括N型漂移区、位于N型漂移区内的多晶硅槽、第一绝缘介质槽和第二绝缘介质槽，所述第一绝缘介质槽位于靠近主栅极结构一侧，所述第一绝缘介质槽的内侧沿其纵向方向设有所述多晶硅槽，所述多晶硅槽与所述主栅极导电材料共同引出端为栅极；所述第二绝缘介质槽自栅极向阳极方向延伸且与第一绝缘介质槽连接一体。
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权利要求：
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