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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：高耐压低导通电阻双极化超结型氮化镓基双向开关功率器件结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域，衬底上面依次外延生长缓冲层、i‑GaN沟道层、势垒层、i‑GaN间隔层、p型半导体层、重掺p型半导体层；源极和漏极均与下方沟道2DEG形成欧姆接触，栅极包括凹栅MIS结构和p型栅结构两种用于形成常关型器件；本发明通过对反并联结构实现双向开关功能中GaN基双向阻断功率开关器件结构的创新，引入双极化超结在低导通电阻情况下实现双向高耐压性能，并采用多沟道结构进一步减小器件导通电阻，同时利用极化超结界面可调极化电荷调控沟道二维电子气浓度，实现超低漏极开启电压和较高电流密度，有助于提升GaN基双向开关的性能。
主权项：1.一种高耐压低导通电阻双极化超结型氮化镓基双向开关功率器件结构，其特征在于，以反并联双极化超结型氮化镓基双向阻断功率器件的结构实现双向开关功能，双极化超结型氮化镓基双向阻断功率器件结构的衬底上面依次外延生长缓冲层、i-GaN沟道层、势垒层、i-GaN间隔层、p型半导体层、重掺p型半导体层，在栅端和漏端各形成一个极化结结构，并在其上方通过p型半导体与2DHG形成欧姆接触的电场调控电极B1、电场调控电极B2，栅极金属与电场调控电极B1所在的极化结直接接触，漏极金属与电场调控电极B2所在的极化结也直接接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 高耐压低导通电阻双极化超结型氮化镓基双向开关功率器件结构及其制备方法
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