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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池的光电转换材料的制备技术领域，公开了一种制备V字型Br梯度CsPbI3‑xBrx吸光层的方法，是利用真空热蒸发法，沉积第一层CsPbI3‑xBrx材料，随着沉积厚度的加深，x不断减小；接着，再沉积第二层CsPbI3‑xBrx材料，使得随着沉积厚度的加深，x不断增大，从而得到V字型Br梯度CsPbI3‑xBrx吸光层；该吸光层从光入射面至光出射面，Br元素在I元素与Br元素总和中的原子占比，呈先降低、后增大的V字型梯度变化趋势。本发明能够控制CsPbI3‑xBrx梯度膜的能带间隙在1.7‑1.9eV区间内变化，并形成V字型能带。
主权项：1.一种制备V字型Br梯度CsPbI3-xBrx吸光层的方法，其特征在于，该V字型Br梯度CsPbI3-xBrx吸光层由钙钛矿材料CsPbI3-xBrx构成，x满足0≤x≤1.5；从光入射面至光出射面，Br元素在I元素与Br元素总和中的原子占比，呈先降低、后增大的V字型梯度变化趋势；制备方法包括以下步骤：1在基底上，利用真空热蒸发法，沉积第一层CsPbI3-xBrx材料；通过调整热蒸发形成的气化气氛中I元素与Br元素的配比，使得随着沉积厚度的加深，x不断减小，得到第一层；2在所述第一层上，利用真空热蒸发法，继续沉积第二层CsPbI3-xBrx材料；通过调整热蒸发形成的气化气氛中I元素与Br元素的配比，使得随着沉积厚度的加深，x不断增大，得到第二层；所述第一层与所述第二层两者整体即构成V字型Br梯度CsPbI3-xBrx吸光层。
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百度查询： 华中科技大学 一种制备V字型Br梯度CsPbI3-xBrx吸光层的方法
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