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申请/专利权人：三星电机株式会社

摘要：本公开提供一种线圈组件及其制造方法，所述线圈组件包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面以及使所述一个表面和所述另一表面彼此连接的多个壁表面；线圈部，包括嵌在所述主体中并且围绕一个方向形成至少一匝的线圈图案；第一外电极和第二外电极，连接到所述线圈部，分别形成在所述主体的多个壁表面中的彼此相对的两个端表面上，并且延伸到所述主体的一个表面；屏蔽层，包括盖部和侧壁部，所述盖部设置在所述主体的另一表面上，所述侧壁部设置在所述主体的所述多个壁表面中的除了所述主体的所述两个端表面之外的每个壁表面上；绝缘层，形成在所述主体与所述屏蔽层之间；以及种子层，形成在所述绝缘层与所述屏蔽层之间。

主权项：1.一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，以及使所述第一表面和所述第二表面彼此连接的多个壁表面；线圈部，包括嵌在所述主体中并且围绕所述第一方向形成至少一匝的线圈图案；第一外电极和第二外电极，连接到所述线圈部，分别形成在所述主体的所述多个壁表面中的彼此相对的两个端表面上，并且延伸到所述主体的所述第一表面；屏蔽层，包括盖部和侧壁部，所述盖部设置在所述主体的所述第二表面上，所述侧壁部设置在所述主体的所述多个壁表面中的除了所述主体的所述两个端表面之外的每个壁表面上；绝缘层，形成在所述主体与所述屏蔽层之间；以及种子层，形成在所述绝缘层与所述屏蔽层之间，其中，所述绝缘层、所述种子层和所述屏蔽层没有被所述第一外电极和所述第二外电极覆盖。

全文数据：线圈组件及其制造方法本申请要求于2018年3月28日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0035867号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。技术领域本公开涉及线圈组件及其制造方法。背景技术电感器线圈组件以及电阻器和电容器是用在电子装置中的典型无源电子组件。由于电子装置的性能逐渐提高并且电子装置变得更小，因此用在电子装置中的电子组件的数量增多并且电子组件变得更小。出于上述原因，对于消除电子组件中的噪声源诸如，电磁干扰EMI的需求逐渐增大。在当前常用的EMI屏蔽技术中，电子组件安装在基板上，并且电子组件和基板同时被屏蔽罩包围。发明内容本公开的一方面可提供一种可减少漏通量的线圈组件。本公开的一方面还可提供一种可在减少漏通量的同时基本上保持组件特性的线圈组件。根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，具有在一个方向上彼此相对的一个表面和另一表面以及使所述一个表面和所述另一表面彼此连接的多个壁表面；线圈部，包括嵌在所述主体中并且围绕所述一个方向形成至少一匝的线圈图案；第一外电极和第二外电极，连接到所述线圈部，分别形成在所述主体的多个壁表面中的彼此相对的两个端表面上，并且延伸到所述主体的所述一个表面上；以及屏蔽层，包括盖部和侧壁部，所述盖部设置在所述主体的所述另一表面上，所述侧壁部设置在所述主体的所述多个壁表面中的除了所述主体的所述两个端表面之外的每个壁表面上。这里，线圈组件还可包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述主体的所述多个壁表面中的除了所述主体的所述两个端表面之外的每个壁表面上，并且形成在所述主体与所述屏蔽层之间；以及种子层，形成在所述绝缘层与所述屏蔽层之间。所述种子层的至少一部分可渗透到所述绝缘层。根据本公开的一方面，一种制造线圈组件的方法可包括：形成线圈条，其中，多个线圈部沿第一方向彼此分开并且通过嵌入的连接部彼此连接；在所述线圈条上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成屏蔽层；形成覆盖所述屏蔽层的覆盖层；切割所述线圈条，以形成使所述多个线圈部中的每个的端部暴露的多个线圈组件前体；以及在所述多个线圈组件前体上形成外电极，其中，所述多个线圈部中的每个包括线圈图案，所述线圈图案围绕垂直于所述第一方向的第二方向形成至少一匝。根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：线圈部，包括具有围绕轴的螺旋形状的线圈图案；主体，具有第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的每个垂直于所述轴，所述主体包封所述线圈部；第一外电极和第二外电极，分别连接到所述线圈图案的第一端和第二端，所述第一外电极和所述第二外电极至少设置在所述主体的所述第二表面上并彼此分开；绝缘层，设置在所述主体的所述第一表面上；以及屏蔽层，包括设置在所述绝缘层上的导电的盖部和绝缘的覆盖部。附图说明通过下面结合附图的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示意性示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的透视图；图2A是沿图1的线I-I’截取的截面图，图2B是沿图1的线II-II’截取的截面图，图2C、图2D和图2E是图2A的区域A的放大图；图3A和图3B是分别沿图1的线I-I’和线II-II’截取的根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的截面图；图4是示出沿图1的线II-II’截取的根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件的截面图；图5是示出沿图1的线II-II’截取的根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件的截面图；图6是示意性示出根据本公开中的第五示例性实施例的线圈组件的透视图；图7A是示出图6的L-T平面的截面图，并且图7B是示出图6的W-T平面的截面图；以及图8是示出沿图1的线II-II’截取的根据本公开中的第六示例性实施例的线圈组件的截面图。具体实施方式现将在下文中参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。在附图中，为了清楚起见，可夸大或缩小组件的形状、尺寸等。然而，本公开可以以许多不同的形式进行例证，并且不应被解释为限于在此阐述的具体实施例。更确切的说，提供这些实施例以使得本公开将是彻底的和完整的，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在此使用的术语“示例性实施例”不指相同的示例性实施例，而是被提供以强调与另一示例性实施例的特定特征或特性不同的特定特征或特性。然而，在此提供的示例性实施例被认为能够通过彼此全部或部分地组合来实现。例如，除非其中提供了相反或相矛盾的描述，否则即使在特定示例性实施例中描述的一个元件未在另一示例性实施例中描述，该元件仍可按照与特定示例性实施例相关的描述而被理解。在描述中，组件与另一组件的“连接”的含义包括通过第三组件的间接连接以及两个组件之间的直接连接。此外，“电连接”意指包括物理连接和物理断开的概念。可以理解的是，当利用“第一”和“第二”提及元件时，所述元件并不受此限制。它们可能仅仅用于将元件与其他元件相区分的目的，并且可不限制元件的顺序或重要性。在一些情况下，在不脱离在此阐述的权利要求的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件。类似地，第二元件也可被称为第一元件。在此，在附图中确定上部、下部、上侧、下侧、上表面、下表面等。例如，第一组件设置在层之上的高度上。然而，权利要求不限于此。此外，竖直方向是指朝上的方向和朝下的方向，并且水平方向是指垂直于上述朝上的方向和朝下的方向的方向。在这种情况下，竖直截面是指沿在竖直方向上的平面截取的情况，并且其示例可以是附图中所示的截面图。此外，水平截面是指沿在水平方向上的平面截取的情况，并且其示例可以是附图中所示的平面图。在此使用的术语仅用于描述示例性实施例，而非限制本公开。在这种情况下，除非在上下文中另有解释，否则单数形式包括复数形式。在附图中，第一方向或长度方向可被定义为方向L，第二方向或宽度方向可被定义为方向W，并且第三方向或厚度方向可被定义为方向T。在下文中，将参照附图详细描述根据本公开中的示例性实施例的线圈组件及其制造方法。在参照附图的描述中，相同或相应的元件由相同标号表示，并且将省略其冗余描述。在电子装置中，可使用各种类型的电子组件。出于去除以上电子组件之间的噪声的目的，可适当地使用各种类型的线圈组件。换句话说电子装置中的线圈组件可用作功率电感器、高频HF电感器、普通磁珠、用于高频的磁珠、共模滤波器等。第一示例性实施例图1是示意性示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的透视图。图2A是沿图1的线I-I’截取的截面图，图2B是沿图1的线II-II’截取的截面图，图2C、图2D和图2E是图2A的区域A的放大图。参照图1以及图2A至图2E，根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、线圈部200、外电极300和400、屏蔽层500、绝缘层600和种子层SL，并且还可包括：覆盖层700、内绝缘层IL和绝缘膜IF。主体100可形成根据本示例性实施例的线圈组件1000的外形，并且线圈部200可嵌在主体100中。主体100整体可形成为呈六面体形状。在下文中，作为示例，将假设主体100具有六面体形状来描述第一示例性实施例。然而，以上描述不将包括形成有除六面体形状之外的形状的主体的线圈组件排除在本示例性实施例的范围之外。主体100可包括在长度方向L上彼此相对的第一表面和第二表面、在宽度方向W上彼此相对的第三表面和第四表面以及在厚度方向T上彼此相对的第五表面和第六表面。主体100的第一表面至第四表面可对应于主体100的用于连接主体100的第五表面和第六表面的壁表面。主体100的壁表面可包括作为彼此相对的两个端表面的第一表面和第二表面以及作为彼此相对的两个侧表面的第三表面和第四表面。作为示例，主体100可形成为使得根据本示例性实施例的包括以下将描述的外电极300和400、绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的线圈组件1000可具有例如2.0mm的长度、1.2mm的宽度以及0.65mm的厚度，然而，不存在对其的限制。主体100可包括磁性材料和树脂。特别地，主体100可通过堆叠一个或更多个磁性复合片而形成，在磁性复合片中，磁性材料分散在树脂中。然而，主体100还可具有除了磁性材料分散在树脂中的结构之外的结构。例如，主体100可利用磁性材料诸如，铁氧体形成。磁性材料可以是铁氧体或磁性金属粉末。铁氧体可包括例如尖晶石型铁氧体诸如，Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体等、六角晶系铁氧体诸如，Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体等、石榴石型铁氧体诸如，Y基铁氧体、Li基铁氧体等中的至少一种。磁性金属粉末可包括从由铁Fe、硅Si、铬Cr、钴Co、钼Mo、铝Al、铌Nb、铜Cu和镍Ni组成的组中选择的一种或更多种。例如，磁性金属粉末可以是纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的至少一种。磁性金属粉末可以是非晶的或晶体的。例如，磁性金属粉末可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末，但不必限于此。铁氧体和磁性金属粉末中的每个可具有约0.1μm至30μm的平均直径，但不限于此。主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。这里，不同类型的磁性材料可指分散在树脂中的磁性材料基于平均粒径、成分、结晶性和形状中的一者而彼此区分。树脂可单独地或组合地包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但不限于此。主体100可包括贯穿以下将描述的线圈部200的芯110。芯110可通过利用磁性复合片填充线圈部200的通孔而形成；然而，示例性实施例不限于此。线圈部200可嵌在主体100中，并且可呈现线圈组件的特性。例如，当线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部200可将电场存储为磁场，并且可保持输出电压，以执行稳定电子装置的功率的功能。线圈部200包括第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220。以下将描述的第一线圈图案211、内绝缘层IL和第二线圈图案212可在主体100的厚度方向T上被顺序地堆叠并形成。第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个可按照扁平螺旋线的形式形成。作为示例，第一线圈图案211可在内绝缘层IL的一个表面上围绕主体100的厚度方向T形成至少一匝。过孔220可通过贯穿内绝缘层IL而与第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个接触，使得第一线圈图案211和第二线圈图案212可被电连接。结果，应用到本示例性实施例的线圈部200可形成为在主体100的厚度方向T上产生磁场的单个线圈。第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的至少一个可包括至少一个导电层。作为示例，当第二线圈图案212和过孔220通过镀覆形成时，第二线圈图案212和过孔220中的每个可包括电镀层以及无电镀层的内种子层。这里，电镀层可具有单层结构或多层结构。电镀层的多层结构可形成为一个电镀层被另一电镀层覆盖的共形膜结构，或者可按照一个电镀层层压在另一电镀层的一个表面上的形状形成。第二线圈图案212的内种子层以及过孔220的内种子层可一体地形成，并且它们之间的边界可不形成，然而，示例性实施例不限于此。第二线圈图案212的电镀层以及过孔220的电镀层可一体地形成，并且它们之间的边界可不形成，然而，示例性实施例不限于此。在另一示例中，当第一线圈图案211和第二线圈图案212单独地形成并且共同地堆叠在内绝缘层IL上以形成线圈部200时，过孔220可包括高熔点金属层和低熔点金属层，低熔点金属层的熔点低于高熔点金属层的熔点。这里，低熔点金属层可通过具有铅Pb和或锡Sn的焊料形成。在共同堆叠期间，低熔点金属层的至少一部分可能由于压力和温度而熔化，并且金属间化合物IMC层可在低熔点金属层与第二线圈图案212之间的边界处形成。作为示例，第一线圈图案211和第二线圈图案212可分别从内绝缘层IL的下表面和上表面突出。在另一示例中，第一线圈图案211可嵌在内绝缘层IL的下表面上，使得下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可从内绝缘层IL的上表面突出。在这个示例中，凹部可形成在第一线圈图案211的下表面上，因此内绝缘层IL的下表面和第一线圈图案211的下表面可能不处于同一平面上。在又一示例中，第一线圈图案211可被嵌在内绝缘层IL的下表面上，使得下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可被嵌在内绝缘层IL的上表面上，使得上表面可暴露于内绝缘层IL的上表面。第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个的端部可分别暴露于主体100的第一表面和第二表面。第一线圈图案211的暴露于主体100的第一表面的端部可与第一外电极300以下将描述接触，使得第一线圈图案211可电连接到第一外电极300。第二线圈图案212的暴露于主体100的第二表面的端部可与第二外电极400以下将描述接触，使得第二线圈图案212可电连接到第二外电极400。第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的每个可利用导电材料诸如，铜Cu、铝Al、银Ag、锡Sn、金Au、镍Ni、铅Pb、钛Ti及其合金等形成，然而，示例性实施例不限于此。内绝缘层IL可利用包括热固性绝缘树脂诸如，环氧树脂、热塑性绝缘树脂诸如，聚酰亚胺或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用将增强材料诸如，玻璃纤维或无机填料浸在上述绝缘树脂中的绝缘材料形成。作为示例，内绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABFAjinomotoBuild-upFilm、FR-4、双马来酰亚胺三嗪BT树脂、感光电介质PID等的绝缘材料形成，然而，示例性实施例不限于此。从由二氧化硅SiO2、氧化铝Al2O3、碳化硅SiC、硫酸钡BaSO4、滑石、泥、云母粉末、氢氧化铝AlOH3、氢氧化镁MgOH2、碳酸钙CaCO3、碳酸镁MgCO3、氧化镁MgO、氮化硼BN、硼酸铝AlBO3、钛酸钡BaTiO3和锆酸钙CaZrO3组成的组中选择的至少一种可用作无机填料。当内绝缘层IL利用包括增强材料的绝缘材料形成时，内绝缘层IL可提供优异的刚性。当内绝缘层IL利用不包括玻璃纤维的绝缘材料形成时，内绝缘层IL可有效用于减小线圈部200的总厚度。当内绝缘层IL利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成时，可通过减少工艺数量而有效地降低生产成本，并且精细孔加工是可能的。绝缘膜IF可沿第一线圈图案211、内绝缘层IL和第二线圈图案212的表面形成。绝缘膜IF可用于保护第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个并使第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个绝缘，并且可包括已知的绝缘材料诸如，聚对二甲苯等。绝缘膜IF中可包括任何绝缘材料，并且不受具体限制。绝缘膜IF可通过诸如气相沉积等方法形成，然而，示例性实施例不限于此。可通过在内绝缘层IL的其上形成有第一线圈图案211和第二线圈图案212的两个表面上堆叠绝缘膜来形成绝缘膜IF。同时，尽管在附图中未示出，但可形成多个第一线圈图案211和或多个第二线圈图案212。例如，线圈部200可具有其中多个第一线圈图案211形成为使得在一个第一线圈图案的下表面上堆叠另一第一线圈图案的结构。在这个示例中，附加绝缘层可设置在多个第一线圈图案211之间，然而，示例性实施例不限于此。外电极300和400可设置在主体100的一个表面上，并且连接到第一线圈图案211和第二线圈图案212。外电极300和400可包括连接到第一线圈图案211的第一外电极300以及连接到第二线圈图案212的第二外电极400。具体地，第一外电极300可包括第一连接部310和第一延伸部320，第一连接部310设置在主体100的第一表面上并连接到第一线圈图案211的端部，第一延伸部320从第一连接部310延伸到主体100的第六表面。第二外电极400可包括第二连接部410和第二延伸部420，第二连接部410设置在主体100的第二表面上并连接到第二线圈图案212的端部，第二延伸部420从第二连接部410延伸到主体100的第六表面。第一延伸部320和第二延伸部420可在主体100的第六表面上彼此分开，使得第一外电极300和第二外电极400可不彼此接触。当线圈组件1000安装在印刷电路板PCB等中时，外电极300和400可使根据本示例性实施例的线圈组件1000电连接到PCB等。作为示例，根据本示例性实施例的线圈组件1000可被安装为使得主体100的第六表面可面对PCB的上表面，并且外电极300的设置在主体100的第六表面上的延伸部320和外电极400的设置在主体100的第六表面上的延伸部420可通过焊料等电连接到PCB的连接部。外电极300和400可均包括导电树脂层以及形成在导电树脂层上的导电层。导电树脂层可通过膏印刷等形成，并且可包括从由铜Cu、镍Ni和银Ag组成的组中选择的任何一种或更多种导电金属以及热固性树脂。导电层可包括从由镍Ni、铜Cu和锡Sn组成的组中选择的任何一种或更多种，并且可通过例如镀覆形成。作为示例，连接部310和延伸部320以及连接部410和延伸部420可通过相同电镀铜工艺而一体地形成，然而，示例性实施例不限于此。绝缘层600可设置在主体100的除主体100的第一表面、第二表面和第六表面之外的所有表面上，并且可使屏蔽层500以下将描述与主体100以及外电极300和400电隔离。换句话说，绝缘层600可设置在主体100的第三表面、第四表面和第五表面上。绝缘层600可包括热塑性树脂诸如，聚苯乙烯类树脂、乙酸乙烯酯类树脂、聚酯类树脂、聚乙烯类树脂、聚丙烯类树脂、聚酰胺类树脂、橡胶类树脂、丙烯酸类树脂等、热固性树脂诸如，苯酚类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、三聚氰胺类树脂、醇酸类树脂等、感光树脂、聚对二甲苯、SiOx或SiNx。绝缘层600可通过将液体绝缘树脂涂覆到主体100上、通过在主体100上堆叠绝缘膜诸如，干膜DF或者通过气相沉积在主体100的表面上形成绝缘树脂而形成。聚酰亚胺膜、不包括感光绝缘树脂的ABFajinomotobuild-upfilm等可用作绝缘膜。绝缘层600可形成为具有10nm至100μm的厚度。当绝缘层600的厚度小于10nm时，线圈组件的特性诸如，Q因数等可能会降低。当绝缘层600的厚度大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，这会不利于实现纤薄的产品。种子层SL可形成在绝缘层600与屏蔽层500以下将描述之间。在本示例性实施例中，屏蔽层500可包括设置在主体100的第五表面上的盖部510以及分别形成在主体100的两侧即，主体100的第三表面和第四表面上的第一侧壁部521和第二侧壁部522，因此，种子层SL可形成在主体100的第三表面、第四表面和第五表面上。种子层SL可通过无电镀覆或气相沉积诸如，溅射等形成。在前一种情况下，种子层SL可以是无电镀铜层，但不限于此。在后一种情况下，种子层SL可包括铜Cu、金Au、铂Pt、钼Mo、钛Ti和铬Cr中的至少一种，并且种子层SL可包括例如钛层和形成在钛层上的铬层，然而，示例性实施例不限于此。当种子层SL包括钛Ti和铬Cr中的至少一种时，种子层SL可使绝缘层600与屏蔽层500之间的粘合力增强。参照图2C，种子层SL可在绝缘层600上以相对均匀的膜厚度形成。这里，种子层SL以相对均匀的膜厚度形成的事实可表明种子层SL的厚度分布与图2D的种子层SL相比是恒定的。因此，当绝缘层600的上表面上形成粗糙度时，种子层SL可基于绝缘层600的上表面的形状而形成为具有均匀的膜厚度，使得在种子层SL的上表面上可形成与绝缘层600的上表面的粗糙度相对应的粗糙度。参照图2D和2E，种子层SL的至少一部分可渗透到绝缘层600中。作为示例，如图2D中所示，种子层SL可在绝缘层600上以不均匀的膜厚度形成。由于种子层SL的渗透程度根据绝缘层600的区域而变化，因此在绝缘层600与种子层SL之间的界面处可形成粗糙度。在另一示例中，如图2E中所示，形成种子层SL的颗粒可渗透到绝缘层600中，并且种子层SL可包括绝缘层600的绝缘树脂和种子层SL的颗粒混合的混合层。作为形成图2C的种子层SL的示例，可使用无电镀覆或气相沉积诸如，溅射等。作为形成图2D和图2E的种子层SL的示例，可使用利用另外的能量使用于形成气化的种子层的颗粒朝向绝缘层600加速的特定类型的气相沉积方法，但不限于此。屏蔽层500可形成在种子层SL上，并且可设置在主体100的第三表面、第四表面和第五表面上，以减少从根据本示例性实施例的线圈组件1000泄漏的漏通量。屏蔽层500可形成为具有10nm至100μm的厚度。当屏蔽层500的厚度小于10nm时，可能不存在EMI屏蔽效果。当屏蔽层500的厚度大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，这可能不利于实现纤薄的产品。在本示例性实施例中，屏蔽层500可包括设置在主体100的第五表面上的盖部510以及分别设置在主体100两侧即，主体100的第三表面和第四表面上的第一侧壁部521和第二侧壁部522。盖部510以及第一侧壁部521和第二侧壁部522可一体地形成。换句话说，盖部510以及第一侧壁部521和第二侧壁部522可通过相同的工艺形成，使得它们之间的边界可不形成。作为示例，盖部510以及第一侧壁部521和第二侧壁部522可通过对其上形成有种子层SL的主体100执行气相沉积诸如，溅射而一体地形成。在另一示例中，盖部510以及第一侧壁部521和第二侧壁部522可通过对其上形成有种子层SL的主体100执行电镀而一体地形成。可连接盖部510以及第一侧壁部521和第二侧壁部522以形成弯曲表面。作为示例，当屏蔽层500通过气相沉积诸如，溅射形成时，盖部510与第一侧壁部521和第二侧壁部522连接的区域的截面可形成为弯曲表面。在另一示例中，当屏蔽层500通过电镀形成时，盖部510与第一侧壁部521和第二侧壁部522连接的区域的截面可形成为弯曲表面。第一侧壁部521和第二侧壁部522中的每个可包括连接到盖部510的一端以及与所述一端相对的另一端，并且从主体100的第六表面至第一侧壁部521和第二侧壁部522中的一个的另一端的距离可与从主体100的第六表面至第一侧壁部521和第二侧壁部522中的另一个的另一端的距离不同。作为示例，当屏蔽层500通过电镀或气相沉积形成时，根据公差或设计需求，从主体100的第六表面至第一侧壁部521和第二侧壁部522中的另一端的距离可彼此不同。屏蔽层500可包括导体和磁体中的至少一种。作为示例，导体可以是包括从由铜Cu、银Ag、金Au、铝Al、铁Fe、硅Si、硼B、铬Cr、铌Nb和镍Ni或其合金组成的组中选择的一种或更多种的导电材料，并且可以是Fe-Si或Fe-Ni。此外，屏蔽层500可包括从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种。例如，屏蔽层500可以是镀铜层，但不限于此。屏蔽层500可具有多层结构，并且可以以例如导体层和形成在导体层上的磁体层的双层结构、第一导体层和形成在第一导体层上的第二导体层的双层结构或者多个导体层的结构形成。这里，第一导体层和第二导体层可包括不同的导体或相同的导体。屏蔽层500可包括彼此分开的两个或更多个微结构。作为示例，当盖部510以及侧壁部521和522中的每个通过溅射形成时，盖部510以及侧壁部521和522中的每个可包括由晶界划分的多个微结构。覆盖层700可覆盖屏蔽层500。换句话说，屏蔽层500与绝缘层600一起可嵌在覆盖层700中。在本示例性实施例中，覆盖层700可设置在主体100的第一表面至第五表面上，并且可形成为通过覆盖第一侧壁部521和第二侧壁部522中的每个的另一端而与绝缘层600接触。覆盖层700可通过覆盖侧壁部521和522中的每个的另一端而防止侧壁部521和522与外电极300和400之间的电连接。此外，覆盖层700可防止屏蔽层500电连接到另一外部电子组件。覆盖层700可包括热塑性树脂诸如，聚苯乙烯类树脂、乙酸乙烯酯类树脂、聚酯类树脂、聚乙烯类树脂、聚丙烯类树脂、聚酰胺类树脂、橡胶类树脂、丙烯酸类树脂等、热固性树脂诸如，苯酚类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、三聚氰胺类树脂、醇酸类树脂等、感光绝缘树脂、聚对二甲苯、SiOx或SiNx中的至少一种。覆盖层700可通过在其上形成有屏蔽层500的主体100上堆叠诸如干膜DF的覆盖膜而形成。可选地，覆盖层700可利用气相沉积诸如，化学气相沉积CVD等在其上形成有屏蔽层500的主体100上形成绝缘材料而形成。覆盖层700可具有粘合功能。作为示例，当覆盖膜堆叠在主体100上以形成覆盖层700时，覆盖层700可包括粘合成分，以粘合到屏蔽层500。覆盖层700可形成为具有10nm至100μm的厚度。当覆盖层700的厚度小于10nm时，由于弱的绝缘特性，可能发生与外电极的短路。当覆盖层700的厚度大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，这可能不利于实现纤薄的产品。绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的总厚度可能大于30nm且小于或等于100μm。当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度之和小于30nm时，可能出现短路问题以及线圈组件的特性诸如，Q因数降低问题。当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度之和大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，这可能不利于实现纤薄的产品。同时，尽管图1至图2E中未示出，但区别于绝缘层600的另外的绝缘层可形成在主体100的未形成外电极300和400的区域上。换句话说，另外的绝缘层可形成在主体100的第六表面的未形成外电极300和400的区域上。另外的绝缘层可在通过镀覆形成外电极300和400时用作阻镀剂；然而，示例性实施例不限于此。由于本公开的绝缘层600和覆盖层700设置在线圈组件本身上，因此绝缘层600和覆盖层700可区别于在将线圈组件安装在PCB上的步骤中用于使线圈组件和PCB成型的模制材料。作为示例，与模制材料不同，即使不存在PCB，本公开的绝缘层600和覆盖层700也可限定形成区域。因此，本公开的绝缘层600可不与PCB接触。此外，与模制材料不同，绝缘层600和覆盖层700可不由PCB支撑或固定。此外，模制材料包围使线圈组件和PCB连接的连接构件诸如，焊球，然而，本公开的绝缘层600和覆盖层700可以不按照包围连接构件的形式形成。此外，由于本公开的绝缘层600不是通过加热环氧塑封料EMC等其使EMC流到PCB上并使EMC硬化形成的模制材料，因此没有必要考虑在形成模制材料期间出现空隙，以及由于模制材料与PCB之间的热膨胀系数的差异导致的PCB的翘曲。此外，由于本公开的屏蔽层500设置在线圈组件本身上，因此屏蔽层500可区别于在线圈组件安装在PCB上之后结合到PCB的用于屏蔽EMI等的密封罩。作为示例，与密封罩不同，可不考虑本公开的屏蔽层500与PCB的接地层的连接。在另一示例中，本公开的屏蔽层500可不需要固定构件来将密封罩固定到PCB。由于屏蔽层500形成在线圈组件本身上，因此根据本示例性实施例的线圈组件1000可更有效地阻挡线圈组件中出现的漏通量。换句话说，当电子装置变得更薄并且具有更高性能时，电子装置中所包括的电子组件的总数增大并且相邻的电子组件之间的距离减小。通过屏蔽每个线圈组件本身，可更有效地阻挡在每个线圈组件中出现的漏通量，这可更有效地减小电子装置的厚度并提高电子装置的性能。此外，与使用密封罩的情况相比，由于在屏蔽区域中有效磁性材料的量增加，因此根据本示例性实施例的线圈组件1000可使线圈组件的特性增强。第二示例性实施例图3A和图3B是根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的截面图。图3A示出了沿图1的线I-I'截取的截面，并且图3B示出了沿图1的线II-II'截取的截面。参照图1、图3A和图3B，根据本示例性实施例的线圈组件2000的盖部510可与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000的盖部510不同。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例的盖部510不同的盖部510。本公开中的第一示例性实施例的描述同样可应用于本示例性实施例的其他构造。参照图3A和图3B，盖部510可形成为使得中央部的厚度T1可大于外围部的厚度T2，这将进行详细的描述。形成本示例性实施例的线圈部200的线圈图案211和212中的每个可在内绝缘层IL的两个表面上从内绝缘层IL的中央部到内绝缘层IL的外围部形成多匝。线圈图案211和212中的每个可沿主体100的厚度方向T堆叠并且通过过孔220连接。结果，根据本示例性实施例的线圈组件2000可在主体100的垂直于主体100的厚度方向T的长度方向L-宽度方向W平面的中央部具有最高的磁通密度。因此，在本示例性实施例中，当形成设置在主体100的第五表面上的盖部510该盖部510基本上平行于主体100的长度方向L-宽度方向W平面时，考虑到在主体100的长度方向L-宽度方向W平面上的磁通密度的分布，盖部510的中央部的厚度T1可大于外围部的厚度T2。因此，盖部510可形成为具有与磁通密度的分布相对应的不同厚度，因此根据本示例性实施例的线圈组件2000可更有效地减少漏通量。第三示例性实施例图4是示出沿图1的线II-II'截取的根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件的截面图。参照图1和图4，根据本示例性实施例的线圈组件3000的盖部510以及侧壁部521和522与根据本公开中的第一示例性实施例和第二示例性实施例的线圈组件1000和2000的盖部510以及侧壁部521和522不同。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例和第二示例性实施例的盖部510以及侧壁部521和522不同的盖部510以及侧壁部521和522。本公开中的第一示例性实施例或第二示例性实施例的描述同样可应用于本示例性实施例的其他构造。参照图4，盖部510的厚度T3可大于侧壁部521和522中的每个的厚度T4。如上所述，线圈部200可在主体100的厚度方向T上产生磁场。结果，在主体100的厚度方向T上泄漏的磁通量可大于在其他方向上泄漏的磁通量。因此，设置在主体100的第五表面垂直于主体100的厚度方向T上的盖部510的厚度可形成为比设置在主体100的壁表面上的每个侧壁部521和522的厚度大，因此，更有效地减少漏通量是可能的。因此，考虑到由线圈部200形成的磁场的方向，根据本示例性实施例的线圈组件3000可有效地减少漏通量。第四示例性实施例图5是示出沿图1的线II-II'截取的根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件的截面图。参照图1和图5，根据本示例性实施例的线圈组件4000的盖部510以及侧壁部521和522与根据本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例的线圈组件1000、2000和3000的盖部510以及侧壁部521和522不同。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例的盖部510以及侧壁部521和522不同的盖部510以及侧壁部521和522。本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例的描述同样可应用于本示例性实施例的其他构造。参照图5，侧壁部521和522中的每个的一端的厚度可大于侧壁部521和522中的每个的另一端的厚度。作为示例，当盖部510以及侧壁部521和522通过镀覆形成时，由于相应区域的拐角形状，电流密度可能集中在主体100的其中主体100的第五表面连接到主体100的第三表面和第四表面的边缘部分即，将形成侧壁部521和522中的每个的一端的区域中。因此，侧壁部521和522中的每个的一端与侧壁部521和522中的每个的另一端相比可形成为具有相对大的厚度。在另一示例中，在主体100被设置为使得主体100的第五表面与靶相对之后，可执行溅射以形成屏蔽层500，因此，侧壁部521和522中的每个的一端与侧壁部521和522中的每个的另一端相比可形成为具有相对大的厚度。然而，本改进示例的范围不限于上述示例。因此，考虑到由线圈部200形成的磁场的方向，根据本实施例的线圈组件4000可有效地减少漏通量。第五示例性实施例图6是示意性示出根据本公开中的第五示例性实施例的线圈组件的透视图。图7A是示出图6的L-T平面的截面图，并且图7B是示出图6的W-T平面的截面图。参照图6、图7A和图7B，根据本示例性实施例的线圈组件5000的覆盖层700的结构与根据本公开中的第一示例性实施例至第四示例性实施例的线圈组件1000、2000、3000和4000的覆盖层700的结构不同。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第四示例性实施例的覆盖层700不同的覆盖层700。本公开中的第一示例性实施例至第四示例性实施例的描述同样可应用于本示例性实施例的其他构造。具体地，在本示例性实施例中，覆盖层700可设置在主体100的第三表面至第五表面上，而不设置在主体100的第一表面和第二表面上。在本示例性实施例中，可通过以下步骤制造线圈组件：在多个线圈部彼此连接的线圈条状态下形成绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700；通过切割线圈条使多个线圈部分离而形成多个线圈组件前体；以及在多个线圈组件前体的线圈部的端表面暴露于其的两个端表面上形成外电极300和400。具体地，首先，可形成多个线圈部沿第一方向彼此分开并且通过嵌入的连接部彼此连接的线圈条。可通过在其上多个线圈部通过连接部连接的线圈基板上堆叠磁性复合片来形成线圈条。接下来，可利用诸如气相沉积等方法在除线圈条的下表面之外的所有表面上顺序地形成绝缘层、屏蔽层和覆盖层。接下来，可通过切割线圈条来制造多个线圈组件前体。这里，可将线圈条切割为使得上述连接部可被去除。因此，多个线圈组件前体中的每个的线圈部的端表面可暴露于主体100的两个端表面。接下来，可在线圈组件前体的两个端表面上形成外电极。可通过电镀形成外电极，然而，示例性实施例不限于此。因此，在本示例性实施例中，绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700可在线圈条状态下形成，因此减少工艺数量和制造时间是可能的。第六示例性实施例图8是示出根据本公开中的第六示例性实施例的线圈组件的截面图，并且对应于沿图1的线II-II'截取的截面图。参照图1至图8，根据本示例性实施例的线圈组件6000的屏蔽层500的结构与根据本公开中的第一示例性实施例至第五示例性实施例的线圈组件1000、2000、3000、4000和5000的屏蔽层500的结构不同。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第五示例性实施例的屏蔽层500不同的屏蔽层500。本公开中的第一示例性实施例至第五示例性实施例的描述同样可应用于本示例性实施例的其他构造。参照图8，应用于本示例性实施例的屏蔽层500可形成有其间插设有中间绝缘层ML的双层结构。在本示例性实施例中，由于屏蔽层500形成有双层结构，因此穿过相对靠近主体100设置的第一屏蔽层500的漏通量可被离主体100相对远的第二屏蔽层500屏蔽。因此，根据本示例性实施例的线圈组件6000可更有效地阻挡漏通量。此外，中间绝缘层ML对从第二屏蔽层500反射的噪声可起到波引导件的作用。本公开中的第一示例性实施例至第四示例性实施例中的绝缘层600的描述同样可应用于中间绝缘层ML的材料和形成方法等。同时，在本公开中的上述示例性实施例中，已经基于外电极300是包括连接部310和延伸部320的L形电极以及外电极400是包括连接部410和延伸部420的L形电极的假设描述了应用于本公开的外电极300和400，但这仅是为了便于描述，并且外电极300和400可以以各种形式进行修改。作为示例，外电极300和400可形成在主体100的第六表面上，而不形成在主体100的第一表面和第二表面上，并且可通过连接过孔等连接到线圈部200。如以上所阐述的，根据本公开中的示例性实施例，减少线圈组件的漏通量是可能的。此外，在减少线圈组件的漏通量的同时基本上保持组件特性是可能的。虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变型。

权利要求：1.一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，以及使所述第一表面和所述第二表面彼此连接的多个壁表面；线圈部，包括嵌在所述主体中并且围绕所述第一方向形成至少一匝的线圈图案；第一外电极和第二外电极，连接到所述线圈部，分别形成在所述主体的所述多个壁表面中的彼此相对的两个端表面上，并且延伸到所述主体的所述第一表面；屏蔽层，包括盖部和侧壁部，所述盖部设置在所述主体的所述第二表面上，所述侧壁部设置在所述主体的所述多个壁表面中的除了所述主体的所述两个端表面之外的每个壁表面上；绝缘层，形成在所述主体与所述屏蔽层之间；以及种子层，形成在所述绝缘层与所述屏蔽层之间。2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述种子层的至少一部分渗透到所述绝缘层。3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述盖部在所述主体的所述第二表面的中央部的厚度大于在所述主体的所述第二表面的外围部的厚度。4.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述盖部的厚度大于所述侧壁部的厚度。5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述侧壁部的连接到所述盖部的一端的厚度大于所述侧壁部的另一端的厚度。6.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述盖部和所述侧壁部一体地形成。7.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括导体和磁体中的至少一种。8.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：覆盖层，覆盖所述屏蔽层。9.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述种子层包括钛、铬和铜中的至少一种。10.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈组件中形成并堆叠有多个屏蔽层，并且所述线圈组件还包括：中间绝缘层，设置在相邻的屏蔽层之间。11.一种制造线圈组件的方法，所述方法包括：形成线圈条，其中，多个线圈部沿第一方向彼此分开并且通过嵌入的连接部彼此连接；在所述线圈条上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成屏蔽层；形成覆盖所述屏蔽层的覆盖层；切割所述线圈条，以形成使所述多个线圈部中的每个的端部暴露的多个线圈组件前体；以及在所述多个线圈组件前体上形成外电极，其中，所述多个线圈部中的每个包括线圈图案，所述线圈图案围绕垂直于所述第一方向的第二方向形成至少一匝。12.一种线圈组件，所述线圈组件包括：线圈部，包括具有围绕轴的螺旋形状的线圈图案；主体，具有第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的每个垂直于所述轴，所述主体包封所述线圈部；第一外电极和第二外电极，分别连接到所述线圈图案的第一端和第二端，所述第一外电极和所述第二外电极至少设置在所述主体的所述第二表面上并彼此分开；绝缘层，设置在所述主体的所述第一表面上；以及屏蔽层，包括设置在所述绝缘层上的导电的盖部和绝缘的覆盖部。13.根据权利要求12所述的线圈组件，所述线圈组件还包括设置在所述绝缘层与所述导电的盖部之间的种子层，所述种子层的至少一部分渗透到所述绝缘层。14.根据权利要求13所述的线圈组件，其中，所述主体具有使所述第一表面和所述第二表面彼此连接的至少两个壁表面，并且所述绝缘层、所述种子层和所述屏蔽层还设置在所述至少两个壁表面上。15.根据权利要求12所述的线圈组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极还分别设置在所述主体的第一端表面和第二端表面上，所述第一端表面和所述第二端表面连接所述第一表面和所述第二表面。16.根据权利要求15所述的线圈组件，其中，所述绝缘的覆盖部设置在所述第一外电极和所述第二外电极的设置在所述第一端表面和所述第二端表面上的一部分上，而不设置在所述第一外电极和所述第二外电极的设置在所述主体的所述第二表面上的一部分上。17.根据权利要求12所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包括多个导电的盖部和绝缘的覆盖部，所述多个导电的盖部和绝缘的覆盖部交替地设置在所述主体的所述第一表面上。

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