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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

摘要：本公开提供了一种基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法，包括：步骤A.版图读入；步骤B.CMP模拟，初步确定CMP局部缺陷产生条件；步骤C.根据步骤B进行CMP敏感区域的提取，并将多边形敏感区域分割；步骤D.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域外，建立一级网格；步骤E.在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域和步骤D建立的一级网格间，建立二级网格；步骤F.等效参数提取。本公开能够准确地检测并处理CMP工艺中的局部不平坦性问题，能够更加准确的检测CMP工艺中的局部缺陷问题，并对检测到的缺陷进行处理，有效规避芯片表面的局部区域的缺陷。

主权项：1.一种基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法，包括：步骤A：版图读入,获取版图内部结构信息；步骤B：CMP模拟，初步确定CMP局部缺陷产生条件；步骤C：根据步骤B进行CMP敏感区域的提取，并将多边形敏感区域分割为矩形和三角形组合，获得待处理空白区域矩形集；步骤D：在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域外，建立一级网格；步骤E：在步骤C的矩形集的一个矩形敏感区域和步骤D建立的一级网格间，建立二级网格；步骤F：等效参数提取；其中，所述步骤D包括：步骤D1：设定一级网格的初始长度为GL0，差值为ΔGL；步骤D2：矩形集的一个矩形敏感区域Sti的线长为L，宽度为S；如果L+2×ΔGL≤GL0，且S+2×ΔGL≤GL0；则以矩形敏感区域Sti形心为中心，GL0为正方形一级网格边长，划分一级网格Gi；所述步骤E包括：步骤E1：设定一级网格的初始长度为GL0，二级网格的长度差值为ΔGL'，一级网格长度为GL，一级网格宽度为GW，整数值N＞2；步骤E2：判断是否GW≥S+N×ΔGL'；如果是，则以矩形敏感区域Sti形心为中心，GL为矩形二级网格长度GL'，GL0+2×ΔGL'为矩形二级网格宽度GW'，划分二级网格Gi'；步骤E3：如果否，则调整一级网格宽度，使得GW＝S+N×ΔGL'；并以矩形敏感区域Sti形心为中心，GL为矩形二级网格长度GL'，GL+2×ΔGL'为矩形二级网格宽度GW'，划分二级网格Gi'；所述步骤F包括：步骤F1：简化二级网格内中心区结构信息， 其中，Ai为二级网格内第i个金属线的面积；步骤F2：简化邻近区结构信息，周边结构密度为ρ；步骤F3：导入工艺信息；步骤F4：利用接触力学理论计算，改变结构信息，计算中心区上表面压力Pup和下表面压力Pdown并拟合，则在步骤A条件下有： 其中，Pe为网格内金属线总周长，W1为中心区线宽，S1为中心区金属线间距，W2为邻近区线宽，S2为邻近区金属线间距，Pe为网格内金属线总周长；步骤F5：利用步骤F4相同方法，计算标准结构，待处理网格内部仅由一组等效线宽W3、等效间距S3的结构组成时的上表面压力Pup和下表面压力Pdown，并获得关系式： 步骤F6：假定公式3＝5，4＝6，解此方程组即可获得等效线宽和等效间距。

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