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申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻剥离方法，该方法包括在基底的一侧依次制备出负胶层和正胶层，制备的过程中分别对负胶层和正胶层进行曝光，然后进行显影、烘烤等处理，得到叠层的光刻胶形貌结构，再进行目标材料层的制备，分步去除剩余的所述第一光刻胶层和第二光刻胶层，同时剥离覆盖在所述第二光刻胶层远离所述基底一侧的所述目标材料层。本发明通过先去除剩余的第二光刻胶层以及其上的目标材料层，接着去除剩余的第一光刻材料层，从而很好的解决了沾边、难剥离的技术问题。
主权项：1.一种光刻剥离方法，其特征在于，包括：在基底一侧的表面制备第一光刻胶层，并对所述第一光刻胶层进行曝光；在所述第一光刻胶层的表面制备第二光刻胶层，并对位于所述第一光刻胶层的非曝光区域的所述第二光刻胶层进行曝光；对曝光后的第二光刻胶层、第一光刻胶层进行显影；将显影后的所述基底进行硬烘，并将硬烘后的所述基底冷却，形成叠层的光刻胶形貌结构；在所述第二光刻胶层远离所述基底的一侧表面制备目标材料层；分步去除剩余的所述第一光刻胶层和第二光刻胶层，同时剥离覆盖在所述第二光刻胶层远离所述基底一侧的所述目标材料层。
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