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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：本文公开了通过使用镍锡金属化堆叠体和扩散焊接实现的芯片到芯片堆叠。一种用于制造半导体装置的方法包括：提供衬底层堆叠体，其包括具有金属上表面的衬底、设置在衬底上的第一含Ni层、以及第一含Ni层上的第一Sn层110；在第一Sn层上沉积第一半导体层堆叠体，其包括：第一NiP层、设置在第一NiP层上的第一半导体管芯、以及设置在第一半导体管芯上的第二NiP层120；在第一半导体层堆叠体上沉积第二半导体层堆叠体，其包括：第二Sn层、设置在第二Sn层上的第二含Ni层、以及设置在第二含Ni层上的第二半导体管芯130；以及执行用于将第一半导体层堆叠体连接到衬底并且将第二半导体层堆叠体连接到第一半导体层堆叠体的扩散焊接工艺140。
主权项：1.一种用于制造半导体装置的方法100，所述方法包括：提供衬底层堆叠体，所述衬底层堆叠体包括具有金属上表面的衬底、设置在所述衬底上的第一含Ni层、以及所述第一含Ni层上的第一Sn层110；在所述第一Sn层上沉积第一半导体层堆叠体，所述第一半导体层堆叠体包括：第一NiP层、设置在所述第一NiP层上的第一半导体管芯、以及设置在所述第一半导体管芯上的第二NiP层120；在所述第一半导体层堆叠体上沉积第二半导体层堆叠体，所述第二半导体层堆叠体包括：第二Sn层、设置在所述第二Sn层上的第二含Ni层、以及设置在所述第二含Ni层上的第二半导体管芯130；以及执行用于将所述第一半导体层堆叠体连接到所述衬底并且将所述第二半导体层堆叠体连接到所述第一半导体层堆叠体的扩散焊接工艺140。
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百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 通过使用镍锡金属化堆叠体和扩散焊接实现的芯片到芯片堆叠
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